XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / InAs Wafer /

Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3", основная ранг

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3", основная ранг

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Название продукта :Ундопед вафля ИнАс
Вафля Дямтер :3 дюйма
Тип кондукции :Тип n
Класс :Основная ранг
Толщина вафли :600±25ум
Ключевое слово :Вафля ИнАс арсенида индия
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3", основная ранг

 

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнАс – арсенид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) или ВГФ (вертикальным замораживанием градиента) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или ундопед в различной ориентации (111), (100) или (110). ПАМ-СИАМЭН может обеспечить вафлю ИнАс ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.

 

3" спецификация вафли ИнАс

Деталь Спецификации
Допант Ундопед
Тип кондукции Н типа
Диаметр вафли 3"
Ориентация вафли (100) ±0.5°
Толщина вафли 600±25ум
Основная плоская длина 22±2мм
Вторичная плоская длина 11±1мм
Концентрация несущей 5кс1016км-3
Подвижность ≥2кс104км2/В.с
ЭПД <5x10>4км-2
ТТВ <12um>
СМЫЧОК <12um>
ИСКРИВЛЕНИЕ <15um>
Маркировка лазера по требованию
Финиш Суфасе П/Э, П/П
Эпи готовое да
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли

 

Что вафля теста ИнАс?

Большинств вафли теста вафли которые падали из основных спецификаций. Вафли теста могут быть использованы для бега марафонов, испытательного оборудования и для лидирующего НИОКР. Они часто рентабельная альтернатива для того чтобы воспламенить вафли.

Оптически свойства вафли ИнАс

Ультракрасный Р.И. ≈3.51 (300 к)
Радиационный коэффициент рекомбинации 1,1·10-10 км3/с
Длинн-волна К хνТО энергии фонона меВ ≈27 (300 к)
хνЛО энергии фонона Длинн-волны ЛО меВ ≈29 (300 к)

 

Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3 Р.И. н против энергии фотона.
Твердая кривая теоретический расчет.
Пункты представляют экспериментальные данные, К. 300.

Для µм 3,75 <> н = [11,1 + 0,71/(1-6.5·λ-2) + 2,75/(1-2085·λ-2) - 6·10-4·λ2)]1/2,
где λ длина волны в µн (300 к)
 

Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3 Нормальная отражательная способность падения против энергии фотона, 300 к
 
Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3 Показатель поглощения около внутреннеприсущего края поглощения для н-ИнАс.
Т=4.2 К
 
Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3 Показатель поглощения против энергии фотона для различной оказывающей экономическую помощь концентрации, 300 к
н (км-3): 1. 3,6·1016, 2. 6·1017, 3. 3,8·1018.
 

МеВ энергии РС1= 3,5 Рйдберг основного состояния

Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3 Показатель поглощения против энергии фотона, т = 300 к
 
Ундопед вафля полупроводника ИнАс, 3 Свободная абсорбция несущей против длины волны на различной концентрации электрона. К. Т=300.
никакой (км-3): 1. 3,9·1018; 2. 7,8·1017; 3. 2,5·1017; 4. 2,8·1016;
 

 

Вы ищете вафля ИнАс?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнАс, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Запрос Корзина 0