XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / InAs Wafer /

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4", основная ранг

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4", основная ранг

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Название продукта :Основная вафля ИнАс ранга
Вафля Дямтер :4 дюйма
Тип кондукции :Тип п
Класс :Основная ранг
Толщина вафли :900±25ум
Ключевое слово :Вафля ИнАс арсенида индия
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4", основная ранг
 
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнАс – арсенид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) или ВГФ (вертикальным замораживанием градиента) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или ундопед в различной ориентации (111), (100) или (110). ПАМ-СИАМЭН может обеспечить вафлю ИнАс ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
 
4" спецификация вафли ИнАс

ДетальСпецификации
ДопантЦинк
Тип кондукцииП типа
Диаметр вафли4"
Ориентация вафли(100) ±0.5°
Толщина вафли900±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей(1-10) кс1017км-3
Подвижность100-400км2/В.с
ЭПД<3x10>4км-2
ТТВ<15um>
СМЫЧОК<15um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<20um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли

 
Что процесс ИнАс?
Вафли ИнАс необходимо подготовить до изготовления прибора. Для начала, их необходимо совершенно очистить для того чтобы извлечь любое повреждение которое могло произойти во время отрезая процесса. Вафли после этого химически механически отполированы/Пларанризед (CMP) для окончательного материального этапа удаления. Это учитывает достижение сверх-плоских зеркальноподобных поверхностей с остальной шершавостью в атомном масштабе. Позже это завершено, вафля готово для изготовления.

Термальные свойства вафли ИнАс

Модуль основной массы5,8·1011 см-2 дын
Точка плавления°К 942
Специфическая жара0,25 дж г-1 °К-1
Термальная проводимость0,27 см-1 °К-1 в
Термальная диффузорность0,19 км2с-1
Тепловое расширение, линейное4,52·10-6 °К-1

 

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4

Зависимость температуры термальной проводимости.
н типа образец, никакой (км-3): 1. 1,6·1016; 2. 2,0·1017;
п типа образец, по (км-3): 3. 2,0·1017.
 

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры термальной проводимости для высоких температур
Концентрация электрона
никакой (км-3): 1. 5·1016; 2. 2·1016; 3. 3·1016.
П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры специфической жары на давлении постоянного
 

Для 298К < T="">

Кп= 0,240 + 3,97·10-5·Т (дж г-1°К -1).

 

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(низкая температура)
 
П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(высокая температура)
 
П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры коэффициента Нернст (поперечного влияния нернст-Эттинхаузен)
Концентрация электрона на 77К
никакой (км-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019.
 

Точка плавления Тм = К. 1215.
Давление насыщенного пара (в паскалях):

для 950 к - 2·10-3,
для 1000 к - 10-2,
для 1050 к - 10-1.

Термальные свойства вафли ИнАс

Модуль основной массы5,8·1011 см-2 дын
Точка плавления°К 942
Специфическая жара0,25 дж г-1 °К-1
Термальная проводимость0,27 см-1 °К-1 в
Термальная диффузорность0,19 км2с-1
Тепловое расширение, линейное4,52·10-6 °К-1

 

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4

Зависимость температуры термальной проводимости.
н типа образец, никакой (км-3): 1. 1,6·1016; 2. 2,0·1017;
п типа образец, по (км-3): 3. 2,0·1017.
 

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры термальной проводимости для высоких температур
Концентрация электрона
никакой (км-3): 1. 5·1016; 2. 2·1016; 3. 3·1016.
П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры специфической жары на давлении постоянного
 

Для 298К < T="">

Кп= 0,240 + 3,97·10-5·Т (дж г-1°К -1).

 

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(низкая температура)
 
П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(высокая температура)
 
П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4Зависимость температуры коэффициента Нернст (поперечного влияния нернст-Эттинхаузен)
Концентрация электрона на 77К
никакой (км-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019.
 

Точка плавления Тм = К. 1215.
Давление насыщенного пара (в паскалях):

для 950 к - 2·10-3,
для 1000 к - 10-2,
для 1050 к - 10-1.

 
Вы ищете субстрат ИнАс?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнАс, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнАс вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Запрос Корзина 0