XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Полу-изолирующ, субстрат ИнП, 2", ранг теста - вафля Повервай
ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли фосфида индия одиночного кристалла особой чистоты для применений оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 200 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.
Полу-изолирующ, субстрат ИнП, 2", ранг теста
| 2" спецификация вафли ИнП | ||||
| Деталь | Спецификации | |||
| Тип кондукции | СИ типа | |||
| Допант | Утюг | |||
| Диаметр вафли | 2" | |||
| Ориентация вафли | 100±0.5° | |||
| Толщина вафли | 350±25ум | |||
| Основная плоская длина | 16±2мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
| Концентрация несущей | ≤3кс1016км-3 | (0.8-6) кс1018км-3 | (0.6-6) кс1018км-3 | Н/А |
| Подвижность | (3.5-4) кс103км2/В.с | (1.5-3.5) кс103км2/В.с | 50-70км2/В.с | >1000км2/В.с |
| Резистивность | Н/А | Н/А | Н/А | >0.5кс107Ωкм |
| ЭПД | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3км-2 | <5x10>3км-2 |
| ТТВ | <10um> | |||
| СМЫЧОК | <10um> | |||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <12um> | |||
| Маркировка лазера | по требованию | |||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
| Эпи готовое | да | |||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||
Чистка вафли
Чистка вафли неотъемлемая часть индустрии вафли. Процесс чистки включает удаление частичных и химических примесей от полупроводника. Необходимо во время процесса чистки что субстрат не поврежден в любом случае. Чистка вафли идеальна для основанных на кремни материалов в виду того что самый общий элемент который использован. Некоторые из преимуществ чистки вафли включают:
 |
Зависимость ионизации классифицирует для αи электронов и продырявливает βи против 1/Ф, К. 300. ( повара и др. [1982]). |
|
Пробивное напряжение и нервное расстройство фиельд против давать допинг плотности для резкого соединения п-н, 300 к (Кюрегян и Юрков [1989]). |
- для электронно-оптических компонентов
- для высокоскоростной электроники.
- для фотоволтайкс
Все еще чрезвычайно недостаточно использованные, но технически ексситинг зона в электромагнитном спектре между микроволнами и инфракрасный, часто называемое «Терахэртц». Электромагнитные волны в этом ряде обладают гибридными свойствами они показывают высокочастотные и оптически характеристики одновременно. Компоненты ИнП основанные открывают этот спектральный ряд для важных новых применений.
Вы ищете субстрат ИнП?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнП, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнП вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!