XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / InP Wafer /

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4", ранг теста

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4", ранг теста

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Название продукта :вафля фосфида индия одиночного кристалла
Вафля Дямтер :4 дюйма
Тип кондукции :Семи изолирующ
Класс :Ранг теста
Применение :600±25ум
Ключевое слово :вафля иньп
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4", ранг теста
 
ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли фосфида индия одиночного кристалла особой чистоты для применений оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 200 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.
 
Полу-изолирующ, субстрат фосфида индия, 4", ранг теста

4" спецификация вафли ИнП   
ДетальСпецификации
Тип кондукцииСИ типа
ДопантУтюг
Диаметр вафли4"
Ориентация вафли100±0.5°
Толщина вафли600±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей≤3кс1016км-3(0.8-6) кс1018км-3(0.6-6) кс1018км-3Н/А
Подвижность(3.5-4) кс103км2/В.с(1.5-3.5) кс103км2/В.с50-70км2/В.с>1000км2/В.с
РезистивностьН/АН/АН/А>0.5кс107Ω.км
ЭПД<1000cm>-2<1x10>3км-2<1x10>3км-2<5x10>3км-2
ТТВ<15um>
СМЫЧОК<15um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<15um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли
 

Что вафля ИнП?

Фосфид индия семикондуктинг материальные подобные ГаАс и кремнию но много нишевый продукт. Он очень эффективен на начинать очень высокоскоростную обработку и дороже чем ГаАс из-за больших длин собрать и начать ингредиенты. Позвольте нам взглянуть на еще некоторые фактов о фосфиде индия по мере того как он пертайнс к вафле ИнП.

 

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4Подвижность Халл электрона против температуры для различный давать допинг выравнивает.
Нижняя кривая - но=Нд-На=8·1017 км-3;
Средняя кривая - но=2·1015 км-3;
Верхняя кривая - но=3·1013 км-3.
(Разегхи и др. [1988]) и (  Валукиевич   и др. [1980]).
Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4Подвижность Халл электрона против температуры (высоких температур):
Нижняя кривая - но=Нд-На~3·1017 км-3;
Средняя кривая - но~1.5·1016 км-3;
Верхняя кривая - но~3·1015 км-3.
(Галаванов и Сюкаэв [1970]).

Для слабо данного допинг н-ИнП на температурах близко к подвижности дрейфа электронов 300 к:

µн = (4.2÷5.4)·103·(300/Т) (км2В-1 с-1)

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4Подвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации.
θ = На/Нд, К. 77.
Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8;
(    Валукиевич и др. [1980]).
Сплошная линия значения середины наблюдаемые (    Андерсона и др. [1985]).
Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4Подвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации
θ =На/Нд, К. 300.
Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8;
(    Валукиевич и др. [1980]).
Сплошная линия значения середины наблюдаемые (    Андерсона и др. [1985]).

Приблизительная формула для подвижности Халл электрона

Μ=ΜОХ/[1+ (Нд/107) 1/2],
где ΜОХ=5000 км2В-1 с-1,
Нд в км-3 (Хильсум [1974])
На 300 к, фактор рн≈1 Халл электрона в н-ИнП.
для Нд > 1015 км-3.

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4Продырявьте подвижность Халл против температуры для различных давая допинг уровней (Зн).
Концентрация отверстия на 300 к: 1. 1,75·1018 км-3; 2. 3,6·1017 км-3; 3. 4,4·1016 км-3.
θ=На/Нд~0.1.
(    Коханюк и др. [1988]).

Для слабо данного допинг п-ИнП на температуре близко к 300 к подвижность Халл

µпХ~150·(300/Т) 2,2 (км2В-1 с-1).

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4Подвижность Халл отверстия против плотности дырки, 300 к (Вилей [1975]).
Приблизительная формула для подвижности Халл отверстия:
µп=µпо/[1 + (На/2·1017) 1/2], где µпо~150 км2В-1 с-1, на в км-3

На 300 к, фактор отверстия в чистом п-ИнП: рп~1

Оптически воспринимая применение

Спектроскопические воспринимая направляя охрана окружающей среды и идентификация опасных веществ
• Растущее поле воспринимает основало на режиме длины волны ИнП. Один пример для спектроскопии газа испытательное оборудование привода с измерением в реальном времени (КО, СО2, НОС [или НИКАКОЙ + НО2]).
• Другой пример ВЕРШИНА ФТ-ИНФРАКРАСН-спектрометра с источником терахэртц. Радиация терахэртц произведена от сигнала подпаливания 2 лазеров ИнП и антенны ИнП которая преобразовывает оптически сигнал к режиму терахэртц.
• Стойка - с обнаружения трассировок взрывно веществ на поверхностях, например для применений безопасности на аэропортах или исследования места преступления после попыток убийства.
• Быстрая проверка трассировок ядовитых веществ в газах и жидкостях (включая вода из крана) или загрязнений поверхности вниз к уровню ппб.
• Спектроскопия для управления без разрушения продукта например еды (раннее выявление избалованного продтовара)
• Спектроскопия для много романных применений, особенно в контроле за загрязнением воздуха обсуждается сегодня и вставки на пути.

Вы ищете вафля ИнП?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнП, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

 

Запрос Корзина 0