XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Вафли арсенида галлия (ГаАс)
ПВАМ начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | СК/н-тыпе | СК/п-тыпе с допингом Зн доступным |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Кремний | Зн доступный |
| Вафля Дямтер | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток или как-отрезок доступные |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15° с (110) | Другое мисориентатион доступное |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | (0.4~2.5) Э18/км3 | |
| Резистивность на РТ | (1.5~9) Э-3 Охм.км | |
| Подвижность | 1500~3000км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <5000> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Толщина | 220~450ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений ЛД
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | СК/н-тыпе | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Кремний | |
| Вафля Дямтер | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток или как-отрезок доступные |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15°офф (110) | Другое мисориентатион доступное |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | (0.4~2.5) Э18/км3 | |
| Резистивность на РТ | (1.5~9) Э-3 Охм.км | |
| Подвижность | 1500~3000 км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <500> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Толщина | 220~350ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Вафли арсенида галлия (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | Изолировать | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Ундопед | |
| Вафля Дямтер | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток доступный |
| Ориентировка кристаллов | (100) +/- 0.5° | |
| ЭДЖ, США или зазубрина | ||
| Концентрация несущей | н/а | |
| Резистивность на РТ | >1Э7 Охм.км | |
| Подвижность | >5000 км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <8000> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/П | |
| Толщина | 350~675ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
6 вафель арсенида галлия ″ (150мм) (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | Полу-изолировать | |
| Вырастите метод | ВГФ | |
| Допант | Ундопед | |
| Тип | Н | |
| Дяматер (мм) | 150±0.25 | |
| Ориентация | (100) 0°±3.0° | |
| Ориентация ЗАЗУБРИНЫ | (010) ±2° | |
| ЗАЗУБРИНА Деептх (мм) | (1-1.25) мм 89°-95° | |
| Концентрация несущей | Н/А | |
| Резистивность (охм.км) | >1.0×107 или 0.8-9 кс10-3 | |
| Подвижность (км2/в.с) | Н/А | |
| Вывихивание | Н/А | |
| Толщина (µм) | 675±25 | |
| Исключение края для смычка и искривления (мм) | Н/А | |
| Смычок (µм) | Н/А | |
| Искривление (µм) | ≤20.0 | |
| ТТВ (µм) | ≤10.0 | |
| ТИР (µм) | ≤10.0 | |
| ЛФПД (µм) | Н/А | |
| Полировать | П/П Эпи-готовое |
2 спецификации вафли ЛТ-ГаАс ″ (50.8мм) (низких, который Температур-выросли арсенид Галюм)
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Дяматер (мм) | ± 1мм Ф 50.8мм | |
| Толщина | 1-2ум или 2-3ум | |
| Плотность дефекта Марко | см-2 ≤ 5 | |
| Резистивность (300К) | >108 Ом-см | |
| Несущая | <0.5пс | |
| Плотность дислокации | <1x106cm-2> | |
| Годная к употреблению поверхностная область | ≥80% | |
| Полировать | Одиночная отполированная сторона | |
| Субстрат | Субстрат ГаАс |
Вафли арсенида галлия (ГаАс)
ПВАМ начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | СК/н-тыпе | СК/п-тыпе с допингом Зн доступным |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Кремний | Зн доступный |
| Вафля Дямтер | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток или как-отрезок доступные |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15° с (110) | Другое мисориентатион доступное |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | (0.4~2.5) Э18/км3 | |
| Резистивность на РТ | (1.5~9) Э-3 Охм.км | |
| Подвижность | 1500~3000км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <5000> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Толщина | 220~450ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений ЛД
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | СК/н-тыпе | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Кремний | |
| Вафля Дямтер | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток или как-отрезок доступные |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15° с (110) | Другое мисориентатион доступное |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | (0.4~2.5) Э18/км3 | |
| Резистивность на РТ | (1.5~9) Э-3 Охм.км | |
| Подвижность | 1500~3000 км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <500> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Толщина | 220~350ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Вафли арсенида галлия (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | Изолировать | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Ундопед | |
| Вафля Дямтер | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток доступный |
| Ориентировка кристаллов | (100) +/- 0.5° | |
| ЭДЖ, США или зазубрина | ||
| Концентрация несущей | н/а | |
| Резистивность на РТ | >1Э7 Охм.км | |
| Подвижность | >5000 км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <8000> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/П | |
| Толщина | 350~675ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
6 вафель арсенида галлия ″ (150мм) (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | Полу-изолировать | |
| Вырастите метод | ВГФ | |
| Допант | Ундопед | |
| Тип | Н | |
| Дяматер (мм) | 150±0.25 | |
| Ориентация | (100) 0°±3.0° | |
| Ориентация ЗАЗУБРИНЫ | (010) ±2° | |
| ЗАЗУБРИНА Деептх (мм) | (1-1.25) мм 89°-95° | |
| Концентрация несущей | Н/А | |
| Резистивность (охм.км) | >1.0×107 или 0.8-9 кс10-3 | |
| Подвижность (км2/в.с) | Н/А | |
| Вывихивание | Н/А | |
| Толщина (µм) | 675±25 | |
| Исключение края для смычка и искривления (мм) | Н/А | |
| Смычок (µм) | Н/А | |
| Искривление (µм) | ≤20.0 | |
| ТТВ (µм) | ≤10.0 | |
| ТИР (µм) | ≤10.0 | |
| ЛФПД (µм) | Н/А | |
| Полировать | П/П Эпи-готовое |
2 спецификации вафли ЛТ-ГаАс ″ (50.8мм) (низких, который Температур-выросли арсенид Галюм)
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Дяматер (мм) | ± 1мм Ф 50.8мм | |
| Толщина | 1-2ум или 2-3ум | |
| Плотность дефекта Марко | см-2 ≤ 5 | |
| Резистивность (300К) | >108 Ом-см | |
| Несущая | <0.5пс | |
| Плотность дислокации | <1x106cm-2> | |
| Годная к употреблению поверхностная область | ≥80% | |
| Полировать | Одиночная отполированная сторона | |
| Субстрат | Субстрат ГаАс |