XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Н печатает, субстрат ГаАс ВГФ, 3", основные лазерные диоды ранга и СИД
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает и одиночный кристалл и поликристаллическая вафля ГаАс (арсенид галлия) для индустрии оптоэлектроники и микроэлектроники для делать ЛД, СИД, цепь микроволны и применения фотоэлемента, вафли в ряде диаметра от 2" до 6" в различных толщинах и ориентациях. Мы предлагаем вафлю ГаАс одиночного кристалла произведенную 2 основными методами ЛЭК роста и методом ВГФ, позволяющ нам обеспечить клиентов самый широкий выбор материала ГаАс с высоким единообразием электрических свойств и превосходного качества поверхности. Арсенид галлия можно поставить как слитки и отполированная вафля, и проводя и полу-изолируя вафля ГаАс, механическая ранг и ранг все епи готовая доступны. Мы можем предложить вафлю ГаАс с низким значением ЭПД и высоким качеством поверхности соответствующими для ваших применений МОКВД и МБЭ. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, и оптически ранг. Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД
| Деталь | Спецификации | |
| Тип кондукции | СК/н-тыпе | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Кремний | |
| Вафля Дямтер | 3, дюйм | |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15° с (110) | |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей |
(0.4~2.5) Э18/км3
|
|
| Резистивность на РТ | (1.5~9) Э-3 Охм.км | |
| Подвижность |
1500~3000км2/В.сек
|
|
| Плотность ямы травления | <5000> | |
| Маркировка лазера |
по требованию
|
|
| Поверхностный финиш |
П/Э или П/П
|
|
| Толщина |
220~450ум
|
|
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений ЛД
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | СК/н-тыпе | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Кремний | |
| Вафля Дямтер | 3, дюйм | Слиток или как-отрезок доступные |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15°офф (110) | Другое мисориентатион доступное |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | (0.4~2.5) Э18/км3 | |
| Резистивность на РТ | (1.5~9) Э-3 Охм.км | |
| Подвижность | 1500~3000 км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <500> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Толщина | 220~350ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Свойства ГаАс Кристл
| Свойства | ГаАс |
| Атомс/км3 | 4,42 кс 1022 |
| Атомный вес | 144,63 |
| Поле нервного расстройства | приблизительно 4 кс 105 |
| Кристаллическая структура | Зинкбленде |
| Плотность (г/км3) | 5,32 |
| Диэлектрическая константа | 13,1 |
| Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, Нк (см-3) | 4,7 кс 1017 |
| Эффективная плотность состояний в валентной полосе, Нв (см-3) | 7,0 кс 1018 |
| Сродство к электрону (в) | 4,07 |
| Перепад энергии на 300К (еВ) | 1,424 |
| Концентрация внутреннеприсущей несущей (см-3) | 1,79 кс 106 |
| Внутреннеприсущая длина Дебе (микроны) | 2250 |
| Внутреннеприсущая резистивность (ом-см) | 108 |
| Константа решетки (ангстромы) | 5,6533 |
| Линейный коэффициент теплового расширения, | 6,86 кс 10-6 |
| ΔЛ/Л/ΔТ (1 ДЕГ К) | |
| Точка плавления (ДЕГ К) | 1238 |
| Продолжительность жизни несущей меньшинства (с) | приблизительно 10-8 |
| Подвижность (смещение) | 8500 |
| (см2/В-с) | |
| µн, электроны | |
| Подвижность (смещение) | 400 |
| (см2/В-с) | |
| µп, отверстия | |
| Оптически энергия (eV) фонона | 0,035 |
| Длина свободного пути фонона средняя (ангстромы) | 58 |
| Специфическая жара | 0,35 |
| (Дж/г-дег к) | |
| Термальная проводимость на 300 к | 0,46 |
| (В/км-дегК) | |
| Термальная диффузорность (см2/сек) | 0,24 |
| Давление пара (Pa) | 100 на 1050 ДЕГ К; |
| 1 на 900 ДЕГ К |
| Длина волны | Индекс |
| (µм) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Что процесс ГаАс?
Вафли ГаАс необходимо подготовить до изготовления прибора. Для начала, их необходимо совершенно очистить для того чтобы извлечь любое повреждение которое могло произойти во время отрезая процесса. Вафли после этого химически механически отполированы/Пларанризед (CMP) для окончательного материального этапа удаления. Это учитывает достижение сверх-плоских зеркальноподобных поверхностей с остальной шершавостью в атомном масштабе. Позже это завершено, вафля готово для изготовления.
| Поле нервного расстройства | ≈4·105 В/км |
| Электроны подвижности | км2 ≤8500 В-1с-1 |
| Отверстия подвижности | км2 ≤400 В-1с-1 |
| Электроны коэффициента диффузии | ≤200 км2/с |
| Отверстия коэффициента диффузии | ≤10 км2/с |
| Скорость восходящего потока теплого воздуха электрона | 4,4·105 м/с |
| Скорость восходящего потока теплого воздуха отверстия | 1,8·105м/с |
| Подвижность Халл электрона против температуры для различный давать допинг выравнивает. 1. Нижняя кривая: Нд=5·1015км-3; 2. кривая середины: Нд=1015км-3; 3. Верхняя кривая: Нд=5·1015км-3 Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность Халл электрона км2 µХ=9400 (300/Т) В-1 с-1 |
| Подвижность Халл электрона против температуры для различных давая допинг уровней и градусов компенсации (высоких температур): Раскройте круги: Нд=4На=1.2·1017 км-3; Открытые квадраты: Нд=4На=1016 км-3; Раскройте треугольники: Нд=3На=2·1015 км-3; Твердая кривая представляет вычисление для чистого ГаАс Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность дрейфа электронов µн=8000 (300/Т) 2/3 км2 В-1 с-1 |
| Подвижность смещения и Халл против концентрации электрона для различных градусов компенсации Т= 77 к |
| Подвижность смещения и Халл против концентрации электрона для различных градусов компенсации Т= 300 к |
. µн =ΜОХ/(1+Нд·10-17) 1/2, где ΜОХ≈9400 (км2 В-1 с-1), нд в км-3
.
| Зависимость температуры фактора Халл для чистого н типа ГаАс в слабом магнитном поле |
| Зависимость температуры подвижности Халл для 3 высокочистых образцов |
(км2В-1с-1), (п - в км-3)
Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность Халл
µпХ=400 (300/Т) 2,3 (км2 В-1 с-1).
| Подвижность Халл отверстия против плотности дырки. |
рХ=1.25.
| Зависимость поля скорости дрейфа электронов. Твердая кривая была высчитана мимо Брошенный и точечные пунктирные кривые измеренные данные, 300 к |
| Фиельд зависимость скорости для сильных электрических полей, дрейфа электронов К. 300. |
| Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах. |
| Часть электронов в долинах л и кс. нЛ и нС как функция электрического поля ф на 77, 160, и 300 к, Нд=0 Точечная пунктирная кривая - л долины, штриховая кривая - долины кс. |
| Средняя энергия е в долинах Γ, л, и кс как функция электрического поля ф на 77, 160, и 300 к, Нд=0 Твердая кривая - долины Γ, точечная пунктирная кривая - л долины, штриховая кривая - долины кс. |
| Зависимость частоты подвижности дифференциала электрона. µд действительная часть дифференциальной подвижности; часть µд*ис мнимая дифференциальной подвижности. Ф= 5,5 см-1 кВ |
| Зависимость поля продольного коэффициента диффузии электронов д||Ф. Кривые 1 и 2 твердого тела теоретические расчеты. Штриховые кривые 3, 4, и 5 экспериментальные данные. Кривая 1 - от Кривая 2 - от Кривая 3 - от Кривая 4 - от Кривая 5 - |
| Фиельд зависимость дрейфовой скорости отверстия на различных температурах. |
| Зависимость температуры скорости отверстия сатурации в сильных электрических полях |
| Зависимость поля коэффициента диффузии отверстия. |
2 теории относительно ионизации удара в ГаАс.
Первое заявлять что знаны, что точно достаточно различают αи и βи тарифов ионизацией удара для электронов и отверстий в ГаАс такие тонкие детали как анисотхропы αи и βи для различных кристаллографических направлений. Этот подход описан подробно в работе Дмитриев и др. [1987].
| Экспириментально αи и βи кривых против 1/Ф для ГаАс. |
| Экспириментально αи и βи кривых против 1/Ф для ГаАс. |
| Экспириментально αи и βи кривых против 1/Ф для ГаАс. |
Вторые фокусы школы на значениях αи и βи для такого же электрического поля сообщенного различным исследуют отличаются на порядок величины или больше. Эта точка зрения объяснена Кюрегян и Юрков [1989]. Согласно этому подходу мы можем высказывать предположение о том, что αи = βи. Приблизительная формула для зависимости поля ионизации классифицирует:
=αоексп αи = β и [δ - (δ2 + (Ф0/ф) 2) 1/2]
где αо = 0,245·106 см-1; β = 57,6 Фо = 6,65·106 см-1 в (Кюрегян и Юрков [1989]).
| Поле пробивного напряжения и нервного расстройства против давать допинг плотности для резкого соединения п-н. |
| Чистый н типа материал (никакой | 1014км-3) | |
| Самая длинная продолжительность жизни отверстий | τп ~3·10-6 с |
| Длина диффузионного смещения Лп = (Дп·τп) 1/2 | Μм Лп ~30-50. |
| Чистый п типа материал | |
| (а) низкий уровень впрыски | |
| Самая длинная продолжительность жизни электронов | τн | 5·10-9 с |
| Длина диффузионного смещения Лн = (Дн·τ н) 1/2 | Μм Лн ~10 |
| (б) высокий уровень впрыски (заполненные ловушки) | |
| Самая длинная продолжительность жизни электронов | τ ~2,5·10-7 с |
| Длина диффузионного смещения Лн | Лн | µм 70 |
| Поверхностная скорость рекомбинации против давать допинг плотности Различные экспириментально пункты соответствуют различным методам поверхностного покрытия. |
| 90 к | 1,8·10-8км3/с |
| 185 к | 1,9·10-9км3/с |
| 300 к | 7,2·10-10км3/с |
| 300 к | ~10-30км6/с |
| 500 к | ~10-29км6/с |
Вы ищете вафля ГаАс?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ГаАс, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!