XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Полу-изолирующ, Эпи-готовый субстрат арсенида галлия, 6", воспламеняет ранг
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает и одиночный кристалл и поликристаллическая вафля ГаАс (арсенид галлия) для индустрии оптоэлектроники и микроэлектроники для делать ЛД, СИД, цепь микроволны и применения фотоэлемента, вафли в ряде диаметра от 2" до 6" в различных толщинах и ориентациях. Мы предлагаем вафлю ГаАс одиночного кристалла произведенную 2 основными методами ЛЭК роста и методом ВГФ, позволяющ нам обеспечить клиентов самый широкий выбор материала ГаАс с высоким единообразием электрических свойств и превосходного качества поверхности. Арсенид галлия можно поставить как слитки и отполированная вафля, и проводя и полу-изолируя вафля ГаАс, механическая ранг и ранг все епи готовая доступны. Мы можем предложить вафлю ГаАс с низким значением ЭПД и высоким качеством поверхности соответствующими для ваших применений МОКВД и МБЭ. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, и оптически ранг. Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
(6 вафель арсенида галлия ″ (150мм) (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции |
Полу-изолировать |
|
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Ундопед | |
| Тип | Н | |
| Дяматер (мм) | 150±0.25 | |
| Ориентация |
(100) 0°±3.0° |
|
| Ориентация ЗАЗУБРИНЫ | (010) ±2° | |
| ЗАЗУБРИНА Деептх (мм) | (1-1.25) мм 89°-95° | |
| Концентрация несущей |
Н/А |
|
| Резистивность (охм.км | >1.0×107 или 0.8-9 кс10-3 | |
| Подвижность (км2/в.с) | Н/А | |
| Вывихивание |
Н/А |
|
| Толщина (µм) |
675±25 |
|
| Исключение края для смычка и искривления (мм) | Н/А | |
| Смычок (µм) | Н/А | |
| Искривление (µм) |
≤20.0 |
|
| ТТВ (µм) | ≤10.0 | |
| ТИР (µм) | ≤10.0 | |
| ЛФПД (µм) |
Н/А |
|
| Полировать | П/П Эпи-готовое |
Свойства ГаАс Кристл
| Свойства | ГаАс |
| Атомс/км3 | 4,42 кс 1022 |
| Атомный вес | 144,63 |
| Поле нервного расстройства | приблизительно 4 кс 105 |
| Кристаллическая структура | Зинкбленде |
| Плотность (г/км3) | 5,32 |
| Диэлектрическая константа | 13,1 |
| Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, Нк (см-3) | 4,7 кс 1017 |
| Эффективная плотность состояний в валентной полосе, Нв (см-3) | 7,0 кс 1018 |
| Сродство к электрону (в) | 4,07 |
| Перепад энергии на 300К (еВ) | 1,424 |
| Концентрация внутреннеприсущей несущей (см-3) | 1,79 кс 106 |
| Внутреннеприсущая длина Дебе (микроны) | 2250 |
| Внутреннеприсущая резистивность (ом-см) | 108 |
| Константа решетки (ангстромы) | 5,6533 |
| Линейный коэффициент теплового расширения, | 6,86 кс 10-6 |
| ΔЛ/Л/ΔТ (1 ДЕГ К) | |
| Точка плавления (ДЕГ К) | 1238 |
| Продолжительность жизни несущей меньшинства (с) | приблизительно 10-8 |
| Подвижность (смещение) | 8500 |
| (см2/В-с) | |
| µн, электроны | |
| Подвижность (смещение) | 400 |
| (см2/В-с) | |
| µп, отверстия | |
| Оптически энергия (eV) фонона | 0,035 |
| Длина свободного пути фонона средняя (ангстромы) | 58 |
| Специфическая жара | 0,35 |
| (Дж/г-дег к) | |
| Термальная проводимость на 300 к | 0,46 |
| (В/км-дегК) | |
| Термальная диффузорность (см2/сек) | 0,24 |
| Давление пара (Pa) | 100 на 1050 ДЕГ К; |
| 1 на 900 ДЕГ К |
| Длина волны | Индекс |
| (µм) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Что процесс ГаАс?
Вафли ГаАс необходимо подготовить до изготовления прибора. Для начала, их необходимо совершенно очистить для того чтобы извлечь любое повреждение которое могло произойти во время отрезая процесса. Вафли после этого химически механически отполированы/Пларанризед (CMP) для окончательного материального этапа удаления. Это учитывает достижение сверх-плоских зеркальноподобных поверхностей с остальной шершавостью в атомном масштабе. Позже это завершено, вафля готово для изготовления.
Что термальные свойства вафли ГаАс?
| Модуль основной массы | 7,53·1011 см-2 дын |
| Точка плавления | °К 1240 |
| Специфическая жара | 0,33 дж г-1°К -1 |
| Термальная проводимость | 0,55 °К -1 см-1 в |
| Термальная диффузорность | 0.31км2с-1 |
| Тепловое расширение, линейное | 5,73·10-6 °К -1 |
 |
Зависимость температуры термальной проводимости н типа образец, никакой (км-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018; п типа образец, по (км-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019. |
|
Зависимость температуры термальной проводимости (для высокой температуры) н типа образец, никакой (км-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018; п типа образец, по (км-3): 5. 6·1019. |
|
Зависимость температуры специфической жары на давлении постоянного Ккл= 3кбН = 0,345 дж г-1°К -1. Н число атомов в 1 ог ГаАс г. Брошенная линия: Кп= (4π2Ккл/5θо3)·Т3 для К. θо= 345. |
|
Зависимость температуры линейного α коэффициента расширения |
| Точка плавления | Тм=1513 к |
| Для 0 < P=""> | Тм= 1513 - 3.5П (п в кбар) |
| Давление насыщенного пара | (в паскалях) |
| К 1173 | 1 |
| К 1323 | 100 |
Вы ищете вафля ГаАс?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ГаАс, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!