XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
П печатает, вафля ГаАс с низкой плотностью ямы травления, 2", основная ранг, Эпи готовое
ПАМ-СИАМЭН начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД
| Деталь | Спецификации | |
| Тип кондукции | СК/п-тыпе с допингом Зн доступным | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Мг | |
| Вафля Дямтер | 2, дюйм | |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15° с (110) | |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | Э19 | |
| Резистивность на РТ | — | |
| Подвижность |
1500~3000км2/В.сек
|
|
| Плотность ямы травления | <5000> | |
| Маркировка лазера |
по требованию
|
|
| Поверхностный финиш |
П/Э или П/П
|
|
| Толщина |
220~450ум
|
|
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Свойства ГаАс Кристл
| Свойства | ГаАс |
| Атомс/км3 | 4,42 кс 1022 |
| Атомный вес | 144,63 |
| Поле нервного расстройства | приблизительно 4 кс 105 |
| Кристаллическая структура | Зинкбленде |
| Плотность (г/км3) | 5,32 |
| Диэлектрическая константа | 13,1 |
| Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, Нк (см-3) | 4,7 кс 1017 |
| Эффективная плотность состояний в валентной полосе, Нв (см-3) | 7,0 кс 1018 |
| Сродство к электрону (в) | 4,07 |
| Перепад энергии на 300К (еВ) | 1,424 |
| Концентрация внутреннеприсущей несущей (см-3) | 1,79 кс 106 |
| Внутреннеприсущая длина Дебе (микроны) | 2250 |
| Внутреннеприсущая резистивность (ом-см) | 108 |
| Константа решетки (ангстромы) | 5,6533 |
| Линейный коэффициент теплового расширения, | 6,86 кс 10-6 |
| ΔЛ/Л/ΔТ (1 ДЕГ К) | |
| Точка плавления (ДЕГ К) | 1238 |
| Продолжительность жизни несущей меньшинства (с) | приблизительно 10-8 |
| Подвижность (смещение) | 8500 |
| (см2/В-с) | |
| µн, электроны | |
| Подвижность (смещение) | 400 |
| (см2/В-с) | |
| µп, отверстия | |
| Оптически энергия (eV) фонона | 0,035 |
| Длина свободного пути фонона средняя (ангстромы) | 58 |
| Специфическая жара | 0,35 |
| (Дж/г-дег к) | |
| Термальная проводимость на 300 к | 0,46 |
| (В/км-дегК) | |
| Термальная диффузорность (см2/сек) | 0,24 |
| Давление пара (Pa) | 100 на 1050 ДЕГ К; |
| 1 на 900 ДЕГ К |
| Длина волны | Индекс |
| (µм) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Что вафля теста ГаАс?
Большинств вафли теста ГаАс вафли которые падали из основных спецификаций. Вафли теста могут быть использованы для бега марафонов, испытательного оборудования и для лидирующего НИОКР. Они часто рентабельная альтернатива для того чтобы воспламенить вафли.
| Поле нервного расстройства | ≈4·105 В/км |
| Электроны подвижности | км2 ≤8500 В-1с-1 |
| Отверстия подвижности | км2 ≤400 В-1с-1 |
| Электроны коэффициента диффузии | ≤200 км2/с |
| Отверстия коэффициента диффузии | ≤10 км2/с |
| Скорость восходящего потока теплого воздуха электрона | 4,4·105 м/с |
| Скорость восходящего потока теплого воздуха отверстия | 1,8·105м/с |
Подвижность и эффект Холла
| Подвижность Халл электрона против температуры для различный давать допинг выравнивает. 1. Нижняя кривая: Нд=5·1015км-3; 2. кривая середины: Нд=1015км-3; 3. Верхняя кривая: Нд=5·1015км-3 Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность Халл электрона км2 µХ=9400 (300/Т) В-1 с-1 |
| Подвижность Халл электрона против температуры для различных давая допинг уровней и градусов компенсации (высоких температур): Раскройте круги: Нд=4На=1.2·1017 км-3; Открытые квадраты: Нд=4На=1016 км-3; Раскройте треугольники: Нд=3На=2·1015 км-3; Твердая кривая представляет вычисление для чистого ГаАс Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность дрейфа электронов µн=8000 (300/Т) 2/3 км2 В-1 с-1 |
| Подвижность смещения и Халл против концентрации электрона для различных градусов компенсации Т= 77 к |
| Подвижность смещения и Халл против концентрации электрона для различных градусов компенсации Т= 300 к |
Приблизительная формула для подвижности Халл
. µн =ΜОХ/(1+Нд·10-17) 1/2, где ΜОХ≈9400 (км2 В-1 с-1), нд в км-3
| Зависимость температуры фактора Халл для чистого н типа ГаАс в слабом магнитном поле |
| Зависимость температуры подвижности Халл для 3 высокочистых образцов |
Для ГаАс на температурах близко к 300 к, подвижность Халл отверстия
(км2В-1с-1), (п - в км-3)
Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность Халл
µпХ=400 (300/Т) 2,3 (км2 В-1 с-1).
| Подвижность Халл отверстия против плотности дырки. |
На Т= 300 к, фактор Халл в чистом ГаАс
рХ=1.25.
Свойства перехода в сильных электрических полях
| Зависимость поля скорости дрейфа электронов. Твердая кривая была высчитана мимо. Брошенный и точечные пунктирные кривые измеренные данные, 300 к |
| Фиельд зависимость скорости для сильных электрических полей, дрейфа электронов К. 300. |
| Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах. |
| Часть электронов в долинах л и кс. нЛ и нС как функция электрического поля ф на 77, 160, и 300 к, Нд=0 Точечная пунктирная кривая - л долины, штриховая кривая - долины кс. |
| Средняя энергия е в долинах Γ, л, и кс как функция электрического поля ф на 77, 160, и 300 к, Нд=0 Твердая кривая - долины Γ, точечная пунктирная кривая - л долины, штриховая кривая - долины кс. |
| Зависимость частоты подвижности дифференциала электрона. µд действительная часть дифференциальной подвижности; часть µд*ис мнимая дифференциальной подвижности. Ф= 5,5 см-1 кВ |
| Зависимость поля продольного коэффициента диффузии электронов д||Ф. Кривые 1 и 2 твердого тела теоретические расчеты. Штриховые кривые 3, 4, и 5 экспериментальные данные. Кривая 1 - от Кривая 2 - от Кривая 3 - от Кривая 4 - от Кривая 5 - |
| Фиельд зависимость дрейфовой скорости отверстия на различных температурах. |
| Зависимость температуры скорости отверстия сатурации в сильных электрических полях |
| Зависимость поля коэффициента диффузии отверстия. |
Ионизация удара
2 теории относительно ионизации удара в ГаАс.
Первое заявлять что знаны, что точно достаточно различают αи и βи тарифов ионизацией удара для электронов и отверстий в ГаАс такие тонкие детали как анисотхропы αи и βи для различных кристаллографических направлений. Этот подход описан подробно в работе Дмитриев и др. [1987].
| Экспириментально αи и βи кривых против 1/Ф для ГаАс. |
| Экспириментально αи и βи кривых против 1/Ф для ГаАс. |
| Экспириментально αи и βи кривых против 1/Ф для ГаАс. |
Вторые фокусы школы на значениях αи и βи для такого же электрического поля сообщенного различным исследуют отличаются на порядок величины или больше. Эта точка зрения объяснена Кюрегян и Юрков [1989]. Согласно этому подходу мы можем высказывать предположение о том, что αи = βи. Приблизительная формула для зависимости поля ионизации классифицирует:
=αоексп αи = β и [δ - (δ2 + (Ф0/ф) 2) 1/2]
где αо = 0,245·106 см-1; β = 57,6 Фо = 6,65·106 см-1 в (Кюрегян и Юрков [1989]).
| Поле пробивного напряжения и нервного расстройства против давать допинг плотности для резкого соединения п-н. |
Параметр рекомбинации
| Чистый н типа материал (никакой | 1014км-3) | |
| Самая длинная продолжительность жизни отверстий | τп ~3·10-6 с |
| Длина диффузионного смещения Лп = (Дп·τп) 1/2 | Μм Лп ~30-50. |
| Чистый п типа материал | |
| (а) низкий уровень впрыски | |
| Самая длинная продолжительность жизни электронов | τн | 5·10-9 с |
| Длина диффузионного смещения Лн = (Дн·τ н) 1/2 | Μм Лн ~10 |
| (б) высокий уровень впрыски (заполненные ловушки) | |
| Самая длинная продолжительность жизни электронов | τ ~2,5·10-7 с |
| Длина диффузионного смещения Лн | Лн | µм 70 |
| Поверхностная скорость рекомбинации против давать допинг плотности Различные экспириментально пункты соответствуют различным методам поверхностного покрытия. |
Радиационный коэффициент рекомбинации
| 90 к | 1,8·10-8км3/с |
| 185 к | 1,9·10-9км3/с |
| 300 к | 7,2·10-10км3/с |
Коэффициент сверла
| 300 к | ~10-30км6/с |
| 500 к | ~10-29км6/с |
Вы ищете вафля ГаАс?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ГаАс, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!