XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
тип СиК 4Х н, фиктивная ранг, 6" размер для вафли или тест хода оборудования
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.
Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
тип СиК 4Х н, фиктивная ранг, 6" размер
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-51-Н-ПВАМ-330 С4Х-51-Н-ПВАМ-430 | |
| Описание | Фиктивный субстрат ранга 4Х СиК | |
| Полытыпе | 4Х | |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм | |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) | |
| Тип несущей | н типа | |
| Допант | Азот | |
| Резистивность (RT) | 0,012 до 0,0028 Ω·см | |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> | |
| ФВХМ | <50 arcsec=""> | |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 | |
| Поверхностная ориентация | ||
| На оси | <0001>± 0.5° | |
| С оси | 4°ор 8° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} | |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70) мм | |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | ||
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм | |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона | |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли | |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | |
| Исключение края | 1 мм | |
Свойства СиК одиночного кристалла
Здесь мы сравниваем свойство кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, КубикСиК, одиночный кристалл СиК.
Свойство кремниевого карбида (СиК)
Сравнение свойства кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, кубический СиК, одиночный кристалл СиК:
| Свойство | Значение | Условия |
| Плотность | 3217 кг/м^3 | шестиугольный |
| Плотность | 3210 кг/м^3 | кубический |
| Плотность | 3200 кг/м^3 | Одиночный кристалл |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2960 кг/мм/мм | 100г, керамическое, чернота |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2745 кг/мм/мм | 100г, керамическое, зеленый цвет |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2480 кг/мм/мм | Одиночный кристалл. |
| Йоунг модуль | 700 ГПа | Одиночный кристалл. |
| Йоунг модуль | 410,47 ГПа | Керамический, денситы=3120 кг/м/м/м, на комнатной температуре |
| Йоунг модуль | 401,38 ГПа | Керамический, денситы=3128 кг/м/м/м, на комнатной температуре |
| Термальная проводимость | 350 В/м/К | Одиночный кристалл. |
| Прочность выхода | 21 ГПа | Одиночный кристалл. |
| Теплоемкость | 1,46 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1550. |
| Теплоемкость | 1,38 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1350. |
| Теплоемкость | 1,34 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1200. |
| Теплоемкость | 1,25 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1000. |
| Теплоемкость | 1,13 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=700. |
| Теплоемкость | 1,09 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=540. |
| Электрическая резистивность | 1. 1е+10 Ω*м | Керамический, на темп=20 к |
| Удельная работа разрыва | 0,5655. 1,3793 ГПа | Керамический, на темп=25 к |
| Модуль повреждения | 0,2897 ГПа | Керамический, с 1 ВТ % б вызывающий привыкание |
| Модуль повреждения | 0,1862 ГПа | Серамифк, на комнатной температуре |
| Коэффициент Поиссон | 0,183. 0,192 | Керамический, на комнатной температуре, денситы=3128 кг/м/м/м |
| Модуль повреждения | 0,1724 ГПа | Керамический, на темп=1300 к |
| Модуль повреждения | 0,1034 ГПа | Керамический, на темп=1800 к |
| Модуль повреждения | 0,07586 ГПа | Керамический, на темп=1400 к |
| Прочность на растяжение | 0,03448. 0,1379 ГПа | Керамический, на темп=25 к |
*Референсе: Руководство науки и инженерства материалов КРК
Сравнение свойства одиночного кристалла СиК, 6Х и 4Х:
| Свойство | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
*Референсе: КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд.
Сравнение свойства 3К-СиК, 4Х-СиК и 6Х-СиК:
| Си-К Полытыпе | 3К-СиК | 4Х-СиК | 6Х-СиК |
| Кристаллическая структура | Сфалерит цинка (кубический) | Вуртцит (шестиугольный) | Вуртцит (шестиугольный) |
| Группа в составе симметрия | Т2д-Ф43м | К46в-П63мк | К46в-П63мк |
| Модуль основной массы | 2,5 кс 1012 см-2 дын | 2,2 кс 1012 см-2 дын | 2,2 кс 1012 см-2 дын |
| Линейный коэффициент теплового расширения | 2,77 (42) кс 10-6 К-1 | ||
| Температура Дебе | К 1200 | К 1300 | К 1200 |
| Точка плавления | 3103 (40) к | 3103 ± 40 к | 3103 ± 40 к |
| Плотность | 3,166 г км-3 | 3,21 г км-3 | 3,211 г км-3 |
| Твердость | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Поверхностный микрохарднесс | 2900-3100 кг мм-2 | 2900-3100 кг мм-2 | 2900-3100 кг мм-2 |
| Диэлектрическая константа (статическая) | ε0 ~= 9,72 | Значение диэлектрической константы 6Х-СиК обычно использовано | ε0, ~= 9,66 орт |
| Ультракрасный Р.И. | ~=2.55 | ~=2.55 (ось к) | ~=2.55 (ось к) |
| Р.И. н (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 кс 104 н (λ)·λ-2 | (λ) ~= н0 2,5610 + 3,4 кс 104·λ-2 | (λ) ~= н0 2,55531 + 3,34 кс 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 кс 104 не (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 кс 104 не (λ)·λ-2 | ||
| Радиационный коэффициент рекомбинации | 1,5 кс 10-12 км3/с | 1,5 кс 10-12 км3/с | |
| Оптически энергия фотона | меВ 102,8 | меВ 104,2 | меВ 104,2 |
| Масса эффективного электрона (продольный) мл | 0.68мо | 0.677(15) мо | 0.29мо |
| Масса эффективного электрона (поперечный) мт | 0.25мо | 0.247(11) мо | 0.42мо |
| Эффективная масса плотности мкд государств | 0.72мо | 0.77мо | 2.34мо |
| Эффективная масса плотности государств в одной долине зоны проводимости мк | 0.35мо | 0.37мо | 0.71мо |
| Эффективная масса проводимости мкк | 0.32мо | 0.36мо | 0.57мо |
| Эффективная масса залы плотности государства мв? | 0,6 мо | ~1,0 мо | ~1,0 мо |
| Константа решетки | а=4.3596 а | а = 3,0730 а | а = 3,0730 а |
| б = 10,053 | б = 10,053 |
* ссылка: ИОФФЭ
Ссылка изготовителя СиК 4Х и СиК 6Х: ПАМ-СИАМЭН разработчик мира ведущий полупроводниковой технологии освещения, он предлагает полную линейку: Вафля Синьлге кристаллическая СиК и эпитаксиальная вафля и вафля СиК реклайм
Выпрямители тока СиК высокомощные
Высокомощный выпрямитель тока диода критический строительный блок цепей преобразования силы. Недавние обзоры экспириментально результатов выпрямителя тока СиК уступаны ссылки 3, 134, 172, 180, и 181. Большинств важные обмены дизайна прибора выпрямителя тока диода СиК грубо проходят известные обмены прошед параллельно параллельно выпрямителя тока кремния, за исключением факта что концентрации тока, напряжения тока, плотности мощности, и скорости переключения гораздо выше в СиК. Например, выпрямители тока диода Шотткы полупроводника приборы несущей большинства которые известный для того чтобы показать очень быстрое переключение вследствие отсутствия хранения обязанности несущей меньшинства которое преобладает (т.е., замедляет, неблагоприятно приводящ в нежелательных ненужных силе и жаре) деятельность переключения двухполярных выпрямителей тока соединения пн. Однако, высокое поле нервного расстройства и широкая деятельность разрешения бандгап энергии диодов Шотткы металл-полупроводника СиК на гораздо выше напряжениях тока (над 1 кВ) чем практически с силиконбасед диодами Шотткы которые ограничены к деятельности под ~200 в вследствие утечки гораздо выше обратн-смещения термоионной.