XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Внеосевой тип материал 4Х н вафли СиК, ранг исследования, 10мм кс 10мм, оптически применение
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную индустрию ваферфор СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) электронную и электронно-оптическую. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный.
Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
тип вафля 4Х н СиК, ранг исследования, 10мм кс 10мм
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-51-Н-ПВАМ-330 С4Х-51-Н-ПВАМ-430 | |
| Описание | Субстрат ранга 4Х СиК исследования | |
| Полытыпе | 4Х | |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм | |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) | |
| Тип несущей | н типа | |
| Допант | Азот | |
| Резистивность (RT) | 0,012 до 0,0028 Ω·см | |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> | |
| ФВХМ | <50 arcsec=""> | |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 | |
| Поверхностная ориентация | ||
| На оси | <0001>± 0.5° | |
| С оси | 4°ор 8° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | Пройдите ± прошед параллельно параллельно 5° {1-100} | |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70) мм | |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | ||
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм | |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона | |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли | |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | |
| Исключение края | 1 мм | |
Вафля СиК для прибора наивысшей мощности
вопросы и ответы
Вопрос:
Нам нужен СиК с этими спецификациями
- 10кс10 мм
Нам нужно оно для проводить исследование некоторое исследование для развития инструмента.
Нам как раз была бы нужна вафля которая отражает настоящее качество доступное для приборов наивысшей мощности.
Ответ: 10мм*10мм, 350ум+/-50ум, тип н, двойная отполированная сторона достаточно для прибора наивысшей мощности, эта вафля СиК должно быть к (0001) 4дег.офф
Что электрические и оптически свойства вафли СиК?
6 пунктов следующим образом:
1 лентообразная структура вафли СиК
Оптически показатель поглощения 2 и Р.И. вафли СиК
Давать допинг примеси 3 и концентрация несущей вафли СиК
подвижность 4 вафли СиК
Тариф 5 смещений вафли СиК
Сила электрического поля 6 нервных расстройств вафли СиК
Кристаллическая структура СиК
СиК Кристл имеет много различных кристаллических структур, который вызван полытыпес. Самые общие полытыпес СиК в настоящее время будучи превращанными для электроники кубические 3К-СиК, шестиугольные 4Х-СиК и 6Х-СиК, и рхомбохэдрал 15Р-СиК. Эти полытыпес охарактеризованы штабелируя последовательностью слоев бятом структуры СиК. Для получения более подробной информации, пожалуйста запросите нашу команду инженера.
Системы СиК МикроЭлектромечаникал (МЭМС) и датчики
Как описано в главе Хескетх на микромачининг в этой книге, развитие и польза силиконбасед МЭМС продолжаются расширить. Пока предыдущие разделы этой главы центризовали на пользе СиК для традиционных электронных устройств полупроводника, ожидано, что играет СиК также значительную роль в вытекая применениях МЭМС. СиК имеет превосходные механические свойства которые обращаются к некоторым недостаткам основанного на кремни МЭМС как весьма твердость и низкое трение уменьшая механическую носку-вне так же, как превосходную химическую инерционность к въедливым атмосферам. Например, стойкость СиКс превосходная рассматривается как позволяющ для деятельности длинн-продолжительности электрических микромоторс и микро- источников производства электроэнергии реактивного двигателя где кажется, что будут механические свойства кремния недостаточны.
К сожалению, такие же свойства которые делают СиК более прочной чем кремний также сделать СиК более трудной к микромачине. Подходы к изготовляя структурам жестк-окружающей среды МЭМС в результатах СиК и сиК-МЭМС прототипа полученных на сегодняшний день расмотрены с ссылками 124 и 190. Невозможность выполнить точн-сделала по образцу вытравливание одно-Кристл 4Х- и 6Х-СиК с влажными химикатами (разделом 5.5.4) делает микромачининг этой электронн-степени СиК более трудным. Поэтому, большинство СиК микромачининг на сегодняшний день было снабжено в электрически плохом хэтероепитаксял 3К-СиК и поликристаллическом СиК депозированных на кремниевых пластинах. Изменения оптовый микромачининг, поверхностный микромачининг, и микромолдинг методы были использованы для того чтобы изготовить большое разнообразие микромечаникал структур, включая резонаторы и микромоторс. Унифицированный СиК на обслуживании плавильни процесса изготовления кремниевой пластины микромечаникал, которое позволяет потребители осуществить что их собственный специфический для приложения СиК микромачинед приборы пока делящ космос и цену вафли с другими потребителями, имеющийся на рынке.
Для применений требуя высокой температуры, электроника СиК низко-утечки не возможная с слоями депозированными на кремнии (включая высокотемпературные транзисторы, как обсуждено в разделе 5.6.2), концепциями СиК для интегрировать очень более способную электронику с МЭМС на вафлях 4Х/6Х СиК с эпислоями также была предложена. Например, датчики давления будучи превращанными для пользы в более высоких регионах температуры реактивных двигателей снабжены в 6Х-СиК, в большинстве вследствие факта что необходима, что достигает низкая утечка соединения свойственной деятельности датчика. На-обломок 4Х/6Х интегрировал электронику транзистора который полезно включает формирование сигнала на высокотемпературном воспринимая месте также превращается. Со всеми микромечаникал основанными на датчиками, жизненно важно упаковать датчик некоторым образом который уменьшает верстку термомеханикомагнитных наведенных стрессов (которые возникают вследствие коэффициента теплового расширения рассогласовывают над гораздо больше пядями температуры позволенными СиК) на чувствительные элементы. Поэтому (как упомянуто ранее в разделе 5.5.6), предварительная упаковка почти как критическая как польза СиК к полезно расширять рабочий конверт МЭМС в жестких окружающих средах.
Как обсуждено в разделе 5.3.1, основное применение датчиков жестк-окружающей среды СиК позволить активные контроль и контроль систем двигателя внутреннего сгорания улучшить топливную экономичность пока уменьшающ загрязнение. К этому концу, возможности СиК высокотемпературные включили осуществление структур датчика газа каталитического прототипа металл-СиК и металл-изолятор-СиК с большим обещанием для применений контроля излучения и обнаружения утечки топливной системы. Высокотемпературная деятельность этих структур, не возможная с кремнием, включает быстрое обнаружение изменений в содержании водопода и углерода к чувствительностям частей в миллион в очень размером с небольш датчиках которые смогли легко быть помещены малозаметно на двигателе без потребности для охлаждать. Однако, более дополнительные улучшения к надежности, воспроизводимости, и цене СиК основанных на датчиков газа необходимы перед этими системами будут готовы для широко распространенной пользы в автомобилях и воздушных судн потребителя. Вообще, этим же можно сказать для большинств СиК МЭМС, который не достигнет широко распространенного полезного ввода системы до тех пор пока высокая надежность в жестких окружающих средах не будет уверена через более дальнеишую разработку технологий.