XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
6Х Полытыпе Полу-изолируя субстрат СиК, ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) для электронной и электронно-оптической индустрии. Вафля СиК материал полупроводника следующего поколени с уникальными электрическими свойствами и превосходными термальными свойствами для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
6Х Полу-изолируя субстрат СиК, ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С6Х-51-СИ-ПВАМ-250 С6Х-51-СИ-ПВАМ-330 С6Х-51-СИ-ПВАМ-430 |
| Описание | Продукции ранга 6ХсубстратСЭМИ |
| Полытыпе | 6Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | <30 arcsec=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На ± <0001>0.5° оси | |
| С оси 3.5° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | Пройдите ± прошед параллельно параллельно 5° {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
Свойства СиК одиночного кристалла
Здесь мы сравниваем свойство кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, КубикСиК, одиночный кристалл СиК.
Свойство кремниевого карбида (СиК)
Сравнение свойства кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, кубический СиК, одиночный кристалл СиК:
| Свойство | Значение | Условия |
| Плотность | 3217 кг/м^3 | шестиугольный |
| Плотность | 3210 кг/м^3 | кубический |
| Плотность | 3200 кг/м^3 | Одиночный кристалл |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2960 кг/мм/мм | 100г, керамическое, чернота |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2745 кг/мм/мм | 100г, керамическое, зеленый цвет |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2480 кг/мм/мм | Одиночный кристалл. |
| Йоунг модуль | 700 ГПа | Одиночный кристалл. |
| Йоунг модуль | 410,47 ГПа | Керамический, денситы=3120 кг/м/м/м, на комнатной температуре |
| Йоунг модуль | 401,38 ГПа | Керамический, денситы=3128 кг/м/м/м, на комнатной температуре |
| Термальная проводимость | 350 В/м/К | Одиночный кристалл. |
| Прочность выхода | 21 ГПа | Одиночный кристалл. |
| Теплоемкость | 1,46 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1550. |
| Теплоемкость | 1,38 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1350. |
| Теплоемкость | 1,34 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1200. |
| Теплоемкость | 1,25 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1000. |
| Теплоемкость | 1,13 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=700. |
| Теплоемкость | 1,09 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=540. |
| Электрическая резистивность | 1. 1е+10 Ω*м | Керамический, на темп=20 к |
| Удельная работа разрыва | 0,5655. 1,3793 ГПа | Керамический, на темп=25 к |
| Модуль повреждения | 0,2897 ГПа | Керамический, с 1 ВТ % б вызывающий привыкание |
| Модуль повреждения | 0,1862 ГПа | Серамифк, на комнатной температуре |
| Коэффициент Поиссон | 0,183. 0,192 | Керамический, на комнатной температуре, денситы=3128 кг/м/м/м |
| Модуль повреждения | 0,1724 ГПа | Керамический, на темп=1300 к |
| Модуль повреждения | 0,1034 ГПа | Керамический, на темп=1800 к |
| Модуль повреждения | 0,07586 ГПа | Керамический, на темп=1400 к |
| Прочность на растяжение | 0,03448. 0,1379 ГПа | Керамический, на темп=25 к |
Сравнение свойства одиночного кристалла СиК, 6Х и 4Х:
| Свойство | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
Сравнение свойства 3К-СиК, 4Х-СиК и 6Х-СиК:
| Си-К Полытыпе | 3К-СиК | 4Х-СиК | 6Х-СиК |
| Кристаллическая структура | Сфалерит цинка (кубический) | Вуртцит (шестиугольный) | Вуртцит (шестиугольный) |
| Группа в составе симметрия | Т2д-Ф43м | К46в-П63мк | К46в-П63мк |
| Модуль основной массы | 2,5 кс 1012 см-2 дын | 2,2 кс 1012 см-2 дын | 2,2 кс 1012 см-2 дын |
| Линейный коэффициент теплового расширения | 2,77 (42) кс 10-6 К-1 | ||
| Температура Дебе | К 1200 | К 1300 | К 1200 |
| Точка плавления | 3103 (40) к | 3103 ± 40 к | 3103 ± 40 к |
| Плотность | 3,166 г км-3 | 3,21 г км-3 | 3,211 г км-3 |
| Твердость | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Поверхностный микрохарднесс | 2900-3100 кг мм-2 | 2900-3100 кг мм-2 | 2900-3100 кг мм-2 |
| Диэлектрическая константа (статическая) | ε0 ~= 9,72 | Значение диэлектрической константы 6Х-СиК обычно использовано | ε0, ~= 9,66 орт |
| Ультракрасный Р.И. | ~=2.55 | ~=2.55 (ось к) | ~=2.55 (ось к) |
| Р.И. н (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 кс 104 н (λ)·λ-2 | (λ) ~= н0 2,5610 + 3,4 кс 104·λ-2 | (λ) ~= н0 2,55531 + 3,34 кс 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 кс 104 не (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 кс 104 не (λ)·λ-2 | ||
| Радиационный коэффициент рекомбинации | 1,5 кс 10-12 км3/с | 1,5 кс 10-12 км3/с | |
| Оптически энергия фотона | меВ 102,8 | меВ 104,2 | меВ 104,2 |
| Масса эффективного электрона (продольный) мл | 0.68мо | 0.677(15) мо | 0.29мо |
| Масса эффективного электрона (поперечный) мт | 0.25мо | 0.247(11) мо | 0.42мо |
| Эффективная масса плотности мкд государств | 0.72мо | 0.77мо | 2.34мо |
| Эффективная масса плотности государств в одной долине зоны проводимости мк | 0.35мо | 0.37мо | 0.71мо |
| Эффективная масса проводимости мкк | 0.32мо | 0.36мо | 0.57мо |
| Эффективная масса залы плотности государства мв? | 0,6 мо | ~1,0 мо | ~1,0 мо |
| Константа решетки | а=4.3596 а | а = 3,0730 а | а = 3,0730 а |
| б = 10,053 | б = 10,053 |
вопросы и ответы
Вопрос: Я ищу одиночные кристаллы СиК 3К 2Х 4Х 6Х и полытыпес 15Р с кристаллографическим направлением вдоль 0001, микрометром толщины около 330 и диаметром вафли между 2 см см -6, смогли вы пожалуйста отправить мной информацию о размерах и если вы имеете другие полытыпес СиК также включить их в цитате?
Ответ: 4Х и 6Х СиК коммерциализированы, которое мы можем предложить вам понимаем к (0001) соответственно, для 2Х или 15Р СиК, мы не может предложить, по мере того как нет коммерчески значения.
Ссылка изготовителя СиК 4Х и СиК 6Х: ПАМ-СИАМЭН разработчик мира ведущий полупроводниковой технологии освещения, он предлагает полную линейку: Вафля Синьлге кристаллическая СиК и эпитаксиальная вафля и вафля СиК реклайм
Диаметр вафли
Линейное расстояние через поверхность кругового куска который содержит центр куска и исключает любые квартиры или другие периферийные доверенн области. Стандартные диаметры кремниевой пластины являются следующими: 25.4мм (1"), 50.4мм (2"), 76.2мм (3"), 100мм (4"), 125мм (5"), 150мм (6"), 200мм (8"), и 300мм (12").
Линейный размер через поверхность вафли. Измерение выполнено вручную с крумциркулями ед серти АНСИ цифровыми на каждой индивидуальной вафле.
Толщина вафли, центральная точка
Тонкий (толщина зависит от диаметра вафли, но типично чем 1мм), круговой кусок материала полупроводника одно-Кристл отрезал от слитка полупроводника одиночного кристалла; использованный в производстве полупроводниковых устройств и интегральных схема; диаметры вафли могут выстроить в ряд от 5мм до 300мм.
Измеренный с инструментами ед серти АНСИ внеконтактными в центре каждой индивидуальной вафли.