XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
особая чистота 4Х Семи изолируя вафлю СиК, ранг исследования, Эпи готовое, 2" размер
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.
Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
особая чистота 4Х Семи изолируя вафлю кремниевого карбида, фиктивную ранг, Эпи готовое, 2" размер
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-51-СИ-ПВАМ-250 С4Х-51-СИ-ПВАМ-330 С4Х-51-СИ-ПВАМ-430 |
| Описание |
Субстрат исследования Граде4Х СЭМИ |
| Полытыпе | 4Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | <50 arcsec=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На ± <0001>0.5° оси | |
| С оси 3.5° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
Свойства СиК одиночного кристалла
Здесь мы сравниваем свойство кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, КубикСиК, одиночный кристалл СиК.
Свойство кремниевого карбида (СиК)
Сравнение свойства кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, кубический СиК, одиночный кристалл СиК:
| Свойство | Значение | Условия |
| Плотность | 3217 кг/м^3 | шестиугольный |
| Плотность | 3210 кг/м^3 | кубический |
| Плотность | 3200 кг/м^3 | Одиночный кристалл |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2960 кг/мм/мм | 100г, керамическое, чернота |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2745 кг/мм/мм | 100г, керамическое, зеленый цвет |
| Твердость, Кнооп (КХ) | 2480 кг/мм/мм | Одиночный кристалл. |
| Йоунг модуль | 700 ГПа | Одиночный кристалл. |
| Йоунг модуль | 410,47 ГПа | Керамический, денситы=3120 кг/м/м/м, на комнатной температуре |
| Йоунг модуль | 401,38 ГПа | Керамический, денситы=3128 кг/м/м/м, на комнатной температуре |
| Термальная проводимость | 350 В/м/К | Одиночный кристалл. |
| Прочность выхода | 21 ГПа | Одиночный кристалл. |
| Теплоемкость | 1,46 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1550. |
| Теплоемкость | 1,38 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1350. |
| Теплоемкость | 1,34 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1200. |
| Теплоемкость | 1,25 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=1000. |
| Теплоемкость | 1,13 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=700. |
| Теплоемкость | 1,09 Дж/мол/К | Керамический, на К. темп=540. |
| Электрическая резистивность | 1. 1е+10 Ω*м | Керамический, на темп=20 к |
| Удельная работа разрыва | 0,5655. 1,3793 ГПа | Керамический, на темп=25 к |
| Модуль повреждения | 0,2897 ГПа | Керамический, с 1 ВТ % б вызывающий привыкание |
| Модуль повреждения | 0,1862 ГПа | Серамифк, на комнатной температуре |
| Коэффициент Поиссон | 0,183. 0,192 | Керамический, на комнатной температуре, денситы=3128 кг/м/м/м |
| Модуль повреждения | 0,1724 ГПа | Керамический, на темп=1300 к |
| Модуль повреждения | 0,1034 ГПа | Керамический, на темп=1800 к |
| Модуль повреждения | 0,07586 ГПа | Керамический, на темп=1400 к |
| Прочность на растяжение | 0,03448. 0,1379 ГПа | Керамический, на темп=25 к |
*Референсе: Руководство науки и инженерства материалов КРК
Сравнение свойства одиночного кристалла СиК, 6Х и 4Х:
| Свойство | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
*Референсе: КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд.
Сравнение свойства 3К-СиК, 4Х-СиК и 6Х-СиК:
| Си-К Полытыпе | 3К-СиК | 4Х-СиК | 6Х-СиК |
| Кристаллическая структура | Сфалерит цинка (кубический) | Вуртцит (шестиугольный) | Вуртцит (шестиугольный) |
| Группа в составе симметрия | Т2д-Ф43м | К46в-П63мк | К46в-П63мк |
| Модуль основной массы | 2,5 кс 1012 см-2 дын | 2,2 кс 1012 см-2 дын | 2,2 кс 1012 см-2 дын |
| Линейный коэффициент теплового расширения | 2,77 (42) кс 10-6 К-1 | ||
| Температура Дебе | К 1200 | К 1300 | К 1200 |
| Точка плавления | 3103 (40) к | 3103 ± 40 к | 3103 ± 40 к |
| Плотность | 3,166 г км-3 | 3,21 г км-3 | 3,211 г км-3 |
| Твердость | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Поверхностный микрохарднесс | 2900-3100 кг мм-2 | 2900-3100 кг мм-2 | 2900-3100 кг мм-2 |
| Диэлектрическая константа (статическая) | ε0 ~= 9,72 | Значение диэлектрической константы 6Х-СиК обычно использовано | ε0, ~= 9,66 орт |
| Ультракрасный Р.И. | ~=2.55 | ~=2.55 (ось к) | ~=2.55 (ось к) |
| Р.И. н (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 кс 104 н (λ)·λ-2 | (λ) ~= н0 2,5610 + 3,4 кс 104·λ-2 | (λ) ~= н0 2,55531 + 3,34 кс 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 кс 104 не (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 кс 104 не (λ)·λ-2 | ||
| Радиационный коэффициент рекомбинации | 1,5 кс 10-12 км3/с | 1,5 кс 10-12 км3/с | |
| Оптически энергия фотона | меВ 102,8 | меВ 104,2 | меВ 104,2 |
| Масса эффективного электрона (продольный) мл | 0.68мо | 0.677(15) мо | 0.29мо |
| Масса эффективного электрона (поперечный) мт | 0.25мо | 0.247(11) мо | 0.42мо |
| Эффективная масса плотности мкд государств | 0.72мо | 0.77мо | 2.34мо |
| Эффективная масса плотности государств в одной долине зоны проводимости мк | 0.35мо | 0.37мо | 0.71мо |
| Эффективная масса проводимости мкк | 0.32мо | 0.36мо | 0.57мо |
| Эффективная масса залы плотности государства мв? | 0,6 мо | ~1,0 мо | ~1,0 мо |
| Константа решетки | а=4.3596 а | а = 3,0730 а | а = 3,0730 а |
| б = 10,053 | б = 10,053 |
* ссылка: ИОФФЭ
Ссылка изготовителя СиК 4Х и СиК 6Х: ПАМ-СИАМЭН разработчик мира ведущий полупроводниковой технологии освещения, он предлагает полную линейку: Вафля Синьлге кристаллическая СиК и эпитаксиальная вафля и вафля СиК реклайм
Введение
Электронные устройства и цепи полупроводника кремниевого карбида (СиК) основанные на в настоящее время развиваются
для пользы в высокой температуре, высокомощный, и условия высоко-радиации под которой обычные полупроводники
не смогите адекватно выполнить. Способность кремниевого карбида действовать под такими весьма условиями
предполагает, что включить значительные улучшения к далеко-выстраивая в ряд разнообразию применений и систем.
Эти выстраивают в ряд от значительно улучшенного высоковольтного переключения для энергии - электричества сбережений публично
распределение и электрический двигатель управляют к более сильной электронике микроволны для радиолокатора и сообщений
к датчикам и контролям для уборщик-гореть болееэффективные реактивный самолет и автомобиль
двигатели. В особой области приборов силы, теоретические оценки показывали этот СиК
МОСФЭТ силы и выпрямители тока диода работали бы над более высоким напряжением тока и диапазоны температур, имеют
главные характеристики переключения, а также имеют умереть размеры почти 20 раз более небольшие чем соответственно
расклассифицированные основанные на кремни приборы. Однако, эти большущие теоретические преимущества имеют пока быть широко
осуществленный в имеющихся на рынке приборах СиК, главным образом вследствие факта этого СиК относительно неполовозрелые
технологии изготовления выращивания кристаллов и прибора пока достаточно не начаты к необходимы степени
для надежного внесения в большинств электронные системы.
Эта глава кратко исследует технологии электроники полупроводника СиК. В частности, разницы
(и хороший и плохой) между технологией электроники СиК и известной технологией ВЛСИ кремния
выделите. Запроектированные преимущества представления электроники СиК выделены для несколько широкомасштабных
применения. Ключевые вопросы выращивания кристаллов и прибор-изготовления которые в настоящее время ограничивают представление и
возможность высокотемпературной и высокомощной электроники СиК определена.