XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
4Х Полу-изолируя вафлю с низким ТВ/БОВ/ВАРП, фиктивную ранг СиК, 3" размер
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) для электронной и электронно-оптической индустрии. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный.
Применение Полу-изолировать вафлю СиК фиктивную:
СиК фиктивная вафля может использовать внутри исследует термальных и механических полей, и применение детали должно быть следующим образом:
1. Исследует в проводимости СиК термальной
2.Ресеарчес фонона СиК
3.Ресарчес в твердости СиК и механических свойствах
Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации:
СВОЙСТВА ПОЛУ-ИЗОЛИРОВАТЬ МАТЕРИАЛ КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
4Х Полу-изолируя вафлю СиК, фиктивную ранг, 3" размер
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-51-СИ-ПВАМ-250 С4Х-51-СИ-ПВАМ-330 С4Х-51-СИ-ПВАМ-430 |
| Описание | Продукции ранга 4ХсубстратСЭМИ |
| Полытыпе | 4Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | <30 arcsec=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На ± <0001>0.5° оси | |
| С оси 3.5° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
дефекты кристалла сик
Больший часть из дефектов которые наблюдались в СиК также наблюдалась в других кристаллических материалах. Как вывихивания, штабелируя недостатки (SFs), границы (LABs) низкого угла и близнецы. Некоторые другие появляются в материалы имея смесь зинг или структуру вуртцита, как ИДБс. Микропипес и включения от других участков главным образом появляются в СиК.
Исторический недостаток вафель СиК
Возпроизводимые вафли разумных последовательности, размера, качества, и наличия массовое производство предпосылки форкоммерсиал электроники полупроводника. Много материалов полупроводника могут быть мельтеданд возпроизводимо рекристаллизованным в большие одиночные кристаллы с помощью кристалла семени, как в метод теКзокральски используемый в изготовлении почти всех кремниевых пластин, позволяющ разумно ларгеваферс быть произведенной массой. Однако, потому что СиК возгоняет вместо плавить на разумно аттайнаблепрессурес, СиК не может вырастись обычными методами мельт-роста. До 1980, электронные устройства експерименталСиК были ограничены к небольшому (типично ~1)
, незаконно сформированное плателецграун СиК кристаллическое по мере того как субпродукт процесса Ачесон для изготовлять промышленные абразивы (например, шкурку) или процессом Лелы. В процессе Лелы, СиК возгонянный от поликристаллических аттемпературес порошка СиК около 2500°К случайно сконденсирован на стенах полости формируя небольшие, хэксагоналлишапед бляшки. Пока эти небольшие, нонрепродусибле кристаллы позволили некоторое основное електрониксресеарч СиК, они не были ясно соответствующие для массового производства полупроводника. Как таковой, кремний стал тедоминант полупроводником заправляя топливом полупроводниковую технологическую революцию, пока интерес в СиК основанных на микроелектрониксвас ограничивался.