XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Тип вафля На-оси 6Х н СиК (кремниевого карбида), ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную индустрию ваферфор СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) электронную и электронно-оптическую. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации.
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
тип вафля 6Х н СиК, ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С6Х-51-Н-ПВАМ-250 С6Х-51-Н-ПВАМ-330 С6Х-51-Н-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 6Х СиК продукции |
| Полытыпе | 6Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Тип несущей | н типа |
| Допант | Азот |
| Резистивность (RT) | 0,02 | 0,1 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | <30 arcsec=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На оси | <0001>± 0.5° |
| С оси | 3.5° к <11-20>± 0.5° |
| Основная плоская ориентация | Пройдите ± прошед параллельно параллельно 5° {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
Кристаллическая структура СиК
СиК Кристл имеет много различных кристаллических структур, который вызван полытыпес. Самые общие полытыпес СиК в настоящее время будучи превращанными для электроники кубические 3К-СиК, шестиугольные 4Х-СиК и 6Х-СиК, и рхомбохэдрал 15Р-СиК. Эти полытыпес охарактеризованы штабелируя последовательностью слоев бятом структуры СиК. Для получения более подробной информации, пожалуйста запросите нашу команду инженера.
Штабелировать последовательность:
Если мы идем сделать пластинчатую структуру, то мы должны знать толщину каждого плы и угол каждого плы традиционно в градусах определенных от верхнего слоя вниз.
Грубое измерение сопротивления ровной поверхности к царапать или ссадине, выраженного по отоношению к масштабу изобретенной (1812) немецким минералогист Фридрич Мохс. Твердость Мохс минерала определена путем наблюдать поцарапана ли своя поверхность веществом известной или определенной твердости.
Плотность:
Массовые плотности или плотность материала своя масса в объем блока. Символ наиболее часто используемый для плотности ρ (строчный греческий рхо письма). Математически, плотность определена как масса разделенная томом: