XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Тип вафля к (0001) 6Х н СиК, ранг исследования, Эпи готовое, 2" размеры
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6ХСиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.
Здесь показывает детальную спецификацию
Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
тип вафля 6Х н СиК, ранг исследования, Эпи готовое, 2" размеры
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С6Х-51-Н-ПВАМ-250 С6Х-51-Н-ПВАМ-330 С6Х-51-Н-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 6Х СиК исследования |
| Полытыпе | 6Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Тип несущей | н типа |
| Допант | Азот |
| Резистивность (RT) | 0,02 | 0,1 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | <50 arcsec=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На оси | <0001>± 0.5° |
| С оси | 3.5° к <11-20>± 0.5° |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
Здесь мы показываем вас и детализируем спецификации следующим образом:
исследуйте ранг, епи-готовое 6Х-СиК (0001) для ростов эпитаксии молекулярного луча.
Спецификации для 6Х-СиК (0001):
Субстрат, СиК,
ориентация <0001>0дег +/-0.5дег.
дя. 50.80+/-0.38 мм
толщина: 0,43 +/-0.025мм
один бортовой полировать епи
Н типа, Н-дано допинг 1Э 18-19 /CM3
Рес. 0.02~0.1 Ω•см
исследуйте сторону двойника плотности <>
микропипе ранга отполированную с КМП стороны Си, блеском стороны к оптически
Выращивание кристаллов СиК
Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.
параметр решетки
Константа решетки, или параметр решетки, ссылаются на постоянн расстояние между клетками блока в кристаллической решетке. Решетки в 3 размерах вообще имеют 3 константы решетки, названной а, б, и К. Однако, в специальном случае кубических кристаллических структур, все константы равны и мы только ссылаемся на А. Подобно, в шестиугольных кристаллических структурах, константы андб равны, и мы только ссылаемся на константы а и к. Группа в составе константы решетки смогла быть названа параметры решетки. Однако, полный набор параметров решетки состоит из 3 констант решетки и 3 углов между ими.
Например решетка постоянн для общего диаманта углерода а = 3.57Å на К. 300. Структура равностороння хотя своя фактическая форма не может быть решительна от только константы решетки. Фуртерморе, в реальных применениях, типично средняя константа решетки дается. По мере того как константы решетки имеют размер длины, их блок СИ метр. Константы решетки типично заказанн нескольких ангстромов (т.е. десятых частей нанометры). Константы решетки могут быть решительны используя методы как дифракция рентгеновских лучей или с атомным микроскопом силы.
В эпитаксиальном росте, константа решетки измерение структурной совместимости между различными материалами. Соответствовать константы решетки имеет значение для роста тонких слоев материалов на других материалах; когда константы отличаются, напряжения введены в слой, который предотвращает эпитаксиальный рост более толстых слоев без дефектов.
