XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к субстрату СиК изготовителя, который приложен в приборе эпитаксии ГаН, приборах силы, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.
Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
| Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
| Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
| к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
| Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
| Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
| Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
| Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
| не = 2,777 | не = 2,755 | |
| Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
| Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
| Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
| Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
| Подвижность электрона | 800 см2/В·С | 400 см2/В·С |
| дырочная подвижность | 115 см2/В·С | 90 см2/В·С |
| Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
6Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 2 ″ (50.8мм)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С6Х-51-Н-ПВАМ-250 С6Х-51-Н-ПВАМ-330 С6Х-51-Н-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 6Х СиК ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный |
| Полытыпе | 6Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Тип несущей | н типа |
| Допант | Азот |
| Резистивность (RT) | 0,02 | 0,1 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На оси | <0001>± 0.5° |
| С оси | 3.5° к <11-20>± 0.5° |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
4Х ПОЛУ-ИЗОЛИРУЯ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЮ ВАФЛИ 2 ″ (50.8мм)
(Высокочистый Полу-изолируя (ХПСИ) субстрат СиК доступен)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-51-СИ-ПВАМ-250 С4Х-51-СИ-ПВАМ-330 С4Х-51-СИ-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 4Х ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный СЭМИ |
| Полытыпе | 4Х |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| Поверхностная ориентация | |
| На ± <0001>0.5° оси | |
| С оси 3.5° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
| Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
СИК 4Х Н типа или Полу-изолируя, 5мм*5мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 10мм*10мм: Толщина: 330μм/430μм
СИК 4Х Н типа или Полу-изолируя, 15мм*15мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 20мм*20мм: Толщина: 330μм/430μм
4Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 2 ″ (50.8мм)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-51-Н-ПВАМ-330 С4Х-51-Н-ПВАМ-430 | |
| Описание | Субстрат ранга 4Х СиК ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный | |
| Полытыпе | 4Х | |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм | |
| Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) | |
| Тип несущей | н типа | |
| Допант | Азот | |
| Резистивность (RT) | 0,012 до 0,0028 Ω·см | |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> | |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> | |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 | |
| Поверхностная ориентация | ||
| На оси | <0001>± 0.5° | |
| С оси | 4°ор 8° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} | |
| Основная плоская длина | ± 16,00 1,70) мм | |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | ||
| Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм | |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона | |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли | |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | |
| Исключение края | 1 мм | |
4Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 3 ″ (76.2мм)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-76-Н-ПВАМ-330 С4Х-76-Н-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 4Х СиК ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный |
| Полытыпе | 4Х |
| Диаметр | (76,2 ± 0,38) мм |
| Толщина | (350 ± 25) μм μм (430 ± 25) |
| Тип несущей | н типа |
| Допант | Азот |
| Резистивность (RT) | 0,015 – 0.028Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| ТТВ/Бов /Warp | <25μм |
| Поверхностная ориентация | |
| На оси | <0001>± 0.5° |
| С оси | 4°ор 8° к <11-20>± 0.5° |
| Основная плоская ориентация | <11-20>±5.0° |
| Основная плоская длина | 22,22 мм±3.17мм |
| 0,875 ″ ″ ±0.125 | |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 11,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Царапина | Никакие |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 2мм |
4Х ПОЛУ-ИЗОЛИРУЯ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЮ ВАФЛИ 3 ″ (76.2мм)
(Субстрат СиК особой чистоты Полу-изолируя (ХПСИ) доступен)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-76-Н-ПВАМ-330 С4Х-76-Н-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 4Х СиК ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный |
| Полытыпе | 4Х |
| Диаметр | (76,2 ± 0,38) мм |
| Толщина | (350 ± 25) μм μм (430 ± 25) |
| Тип несущей | полу-изолировать |
| Допант | В |
| Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| ТТВ/Бов /Warp | <25μм |
| Поверхностная ориентация | |
| На оси | <0001>± 0.5° |
| С оси | 4°ор 8° к <11-20>± 0.5° |
| Основная плоская ориентация | <11-20>±5.0° |
| Основная плоская длина | 22,22 мм±3.17мм |
| 0,875 ″ ″ ±0.125 | |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 11,00 1,70 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Царапина | Никакие |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 2мм |
4Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 4 ″ (100мм)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-100-Н-ПВАМ-330 С4Х-100-Н-ПВАМ-430 |
| Описание | Субстрат ранга 4Х СиК ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный |
| Полытыпе | 4Х |
| Диаметр | (100,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (350 ± 25) μм μм (430 ± 25) |
| Тип несущей | н типа |
| Допант | Азот |
| Резистивность (RT) | 0,015 – 0.028Ω·см |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> |
| Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
| ТТВ/Бов /Warp | <45μм |
| Поверхностная ориентация | |
| На оси | <0001>± 0.5° |
| С оси | 4°ор 8° к <11-20>± 0.5° |
| Основная плоская ориентация | <11-20>±5.0° |
| Основная плоская длина | 32,50 мм±2.00мм |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
| Вторичная плоская длина | ± 18,00 2,00 мм |
| Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
| Царапина | Никакие |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% |
| Исключение края | 2мм |
СИК 4Х Н типа или полу-изолируя, 5мм*5мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 10мм*10мм: Толщина: 330μм/430μм
СИК 4Х Н типа или полу-изолируя, 15мм*15мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 20мм*20мм: Толщина: 330μм/430μм
вафля СиК -самолета, размер: 40мм*10мм, 30мм*10мм, 20мм*10мм, 10мм*10мм, спецификации ниже:
Тип толщина 6Х/4Х н: 330μм/430μм или таможня
Полу-изолируя толщина 6Х/4Х: 330μм/430μм или таможня
4Х СиК, ПОЛУ-ИЗОЛИРУЯ, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 4 ″ (100мм)
(Высокочистый Полу-изолируя (ХПСИ) субстрат СиК доступен)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-100-СИ-ПВАМ-350 С4Х-100-СИ-ПВАМ-500 | |
| Описание | Субстрат ранга 4Х СиК ранга д исследования ранга К/Д продукции А/Б фиктивный | |
| Полытыпе | 4Х | |
| Диаметр | (100 ± 0,5) мм | |
| Толщина | (350 ± 25) μм μм (500 ± 25) | |
| Тип несущей | Полу-изолировать | |
| Допант | В | |
| Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см | |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> | |
| ФВХМ | А<30 arcsec="" B=""> | |
| Плотность Микропипе | А≤5км-2 Б≤15км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 | |
| ТТВ/Бов /Warp | ТТВ<10μм; ТТВ< 25μм; ВАРП<45μм | |
| Поверхностная ориентация | ||
| На оси | <0001>± 0.5° | |
| С оси | Никакие | |
| Основная плоская ориентация | <11-20>±5.0° | |
| Основная плоская длина | 32,50 мм±2.00мм | |
| Вторичная плоская ориентация | Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
| К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | ||
| Вторичная плоская длина | ± 18,00 2,00 мм | |
| Поверхностный финиш | Двойная отполированная сторона | |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли | |
| Царапины | <8 scratches="" to="" 1="" x="" wafer="" diameter="" with="" total="" cumulative="" length=""> | |
| Отказы | Никакие | |
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | |
| Исключение края | 2мм | |
4Х СиК, Н-ТИПЭ, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 6 ″ (150мм)
| СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С4Х-150-Н-ПВАМ-350 | |
| Описание | Фиктивная ранг 2 | |
| Полытыпе | 4Х | |
| Диаметр | (150 ± 0,2) мм | |
| Толщина | (350 ± 25) μм | |
| Тип несущей | н типа | |
| Допант | Азот | |
| Резистивность (RT) | 0,015 – 0.028Ω·см | |
| Шероховатость поверхности | < 0=""> | |
| Плотность Микропипе | Н/А | |
| ТТВ | ≤30μм | |
| Смычок | ≤120μм | |
| Искривление | ≤150μм | |
| Поверхностная ориентация | ||
| С оси | 4° к <11-20>± 0.5° | |
| Основная плоская ориентация | <10-10>±5.0° | |
| Основная плоская длина | 47,50 мм±2.50мм | |
| Поверхностный финиш | Двойная отполированная сторона | |
| Исключение края | 3мм | |
| Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли | |
Пожалуйста см. внизу подводн-каталог: