XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
КО. ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА СИАМЭН ПОВЭРВАИ, ЛТД.
Add to Cart
10*10мм2 Ундопед Эпиган на субстратах сапфира для приборов нитрида галлия
Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН состоят из кристаллических слоев нитрида алюминия нитрида галлия (ГаН), (АлН), алюминиевого нитрида галлия (АлГаН) и нитрида галлия индия (ИнГаН), который депозирован на субстратах сапфира. Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН включают 20-50% более коротких времен цикла эпитаксии и более высококачественных эпитаксиальных слои прибора, с лучшим структурным качеством и более высокой термальной проводимостью, которое могут улучшить приборы в цене, выходе, и представлении.
ПАМ-СИАМЭН'сГаН на шаблонах сапфира доступен в диаметрах от 2" до 6", и состоит из тонкого слоя кристаллического ГаН, который выросли на субстрате сапфира. Эпи-готовые шаблоны теперь доступные.
Здесь показывает детальную спецификацию:
10*10мм2 Ундопед субстраты ГаН/сапфира
| Деталь | ПАМ-Т-ГаН-10-У |
| Размер | 10С10 мм |
| Толщина | μм 5 ±1 |
| Ориентация ГаН | Самолет к (0001) с угла к -оси 0,2 ±0.1° |
| Квартира ориентации ГаН | (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм |
| Тип кондукции | Н типа |
| Резистивность (300К) | < 0=""> |
| Концентрация несущей | <5x10>17КМ-3 |
| Подвижность | | 300км2/в·с |
| Плотность дислокации | < 5x10="">8км-2 (оцененное ФВХМс СРД) |
| Структура | 5 ±1 μм ГаН/~ 50 сапфир μм буфера лаер/430 ±25 уГаН нм |
| Ориентация сапфира | Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,2 ±0.1° |
| Квартира ориентации сапфира | (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм |
| Шероховатость поверхности: | Лицевая сторона: Сторона<0> Ра задняя: вытравленный или отполированный. |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение дефектов края и макроса) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
10*10мм2 Ундопед субстраты ГаН/сапфира
Отчет о ФВХМ и СРД
Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.
Проект испытания: Проект ФВХМ и СРД
Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.
Ниже пример ФВХМ и СРД шаблона АлН:
ФВХМ и СРД шаблона АлН
ФВХМ и СРД шаблона АлН
Здесь мы показываем эксперимент в качестве примера:
Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:
Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:
Все образцы фильма ГаН были депозированы на различных субстратах ПЛД на ◦К 1000 в атмосфере плазмы азота окружающей. Камера была нагнетена вниз к торр. 10−6 прежде чем процесс низложения начал, и газ Н2 (с очищенностью 99,999%) был введен. Давление деятельности как только плазма Н2 была впрыснута было торр. 1,13 × 10−4. Лазер екссимер КрФ (λ = 248 нм, Ламбда Фысик, Форт Лаудердале, ФЛ, США) был использован как источник удаления и управля с тарифом повторения 1 Хз и энергии в импульсе 60 мДж. Средние темпы роста фильма ГаН составляли около 1 µм/х. Лазерный луч был случаем по вращая цели под углом 45◦. Цель ГаН была изготовлена ХВПЭ и набором на фиксированном расстоянии 9 см от субстрата перед быть вращанным на 30 рпм во время низложения фильма. В этом случае, ~4 µм-толстых фильма ГаН вырослись на шаблоне ГаН/сапфира (попробуйте а), сапфире (образце б), Си (111) (образец к), и Си (100) (образец д). Для ГаН на образце а, слой 2-µм ГаН во первых был депозирован на субстрате сапфира МОКВД. Электронная микроскопия сканирования (СЭМ, С-3000Х, Хитачи, Токио, Япония), микрокопы электрона передачи (ТЭМ, Х-600, Хитачи, Токио, Япония), атомная микроскопия силы (АФМ, ДИ-3100, Веко, Нью-Йорк, НИ, США), дифракция рентгеновских лучей двух-Кристл (СРД, С'Перт ПРО МРД, ПАНалытикал, Альмело, Нидерланды), низкотемпературное фотолуминессенсе (ПЛ, Флоуромакс-3, Хориба, Токио, Япония), и спектроскопия Раман (Джобин Ивон, Хориба, Токио, Япония) были использованы для того чтобы исследовать микроструктуру и оптически свойства шаблонов ГаН депозированных на различных субстратах. Электрические свойства фильмов ГаН были определены измерением Ван дер Паув-Халл под жидким азотом охлаждая на 77 к
На диаграмму 3 показано изображения СЭМ самолет-взгляда фифильмс ГаН, который выросли на различных субстратах. Поверхностные словотолкования показывают различные особенности, по мере того как они зависят сильно на типах используемых субстратов. Поверхность фифильмс ГаН в образцах а и б была зеркальноподобна, показывающ из рассогласования решетки между ГаН и сапфиром (диаграммой 3а, б). Ровная поверхность могла быть должна к высокой кинетической энергии необходима ПЛД для миграции и диффузии прекурсора ГаН на субстратах поверхностных [28]. Грубая поверхность ГаНфифильм, между тем, наблюдалась в образце к (диаграмме 3к). Образец д представил неполное
процесс срастания острова с шестиугольной структурой, как показано в диаграмме 3д. Этот результат показывает что фифильмс ГаН на Си (100) имеют шестиугольный участок. Различная структура фифильм ГаН зерен можно отнесет к различной решетчатой структуре субстрата Си [29]. Поверхностные словотолкование и шершавость фифильмс ГаН, который выросли на различных субстратах были унесены измерениями АФМ с просматривая зоной 10 × 10 µм2, как показано в диаграмме 4.
Диаграмма 3. просматривая изображение поверхности (SEM) электронной микроскопии выросли фифильмс ГаН, который на различном
субстраты: (а) ГаН/шаблон сапфира (попробуйте а); сапфир (б) (образец б); (к) Си (111) (образец к) (д) ся (100) (попробованный)
Заключение: льмс fi ГаН, который толстые выросла на шаблоне ГаН/сапфира, сапфире, Си (111), и Си (100) высокая температура ПЛД. Были изучены влияние субстрата на качестве роста ГаН кристаллическом, поверхностное словотолкование, поведение стресса, и свойство интерфейса, если вам нужна больше информации о продукте, то пожалуйста запрашивают нас.