XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Мг-данные допинг 10*10мм2 вафли ГаН эпитаксиальные на субстратах сапфира для усилителя силы ГаН
Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН состоят из кристаллических слоев нитрида алюминия нитрида галлия (ГаН), (АлН), алюминиевого нитрида галлия (АлГаН) и нитрида галлия индия (ИнГаН), который депозирован на субстратах сапфира. Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН включают 20-50% более коротких времен цикла эпитаксии и более высококачественных эпитаксиальных слои прибора, с лучшим структурным качеством и более высокой термальной проводимостью, которое могут улучшить приборы в цене, выходе, и представлении.
ПАМ-СИАМЭН'сГаН на шаблонах сапфира доступен в диаметрах от 2" до 6", и состоит из тонкого слоя кристаллического ГаН, который выросли на субстрате сапфира. Эпи-готовые шаблоны теперь доступные.
Здесь показывает детальную спецификацию:
Мг-данные допинг 10*10мм2 субстраты ГаН/сапфира
| Деталь | ПАМ-Т-ГаН-10-П |
| Размер | 10С10мм |
| Толщина | μм 5 ±1 |
| Ориентация ГаН | Самолет к (0001) с угла к -оси 0,2 ±0.1° |
| Квартира ориентации ГаН | (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм |
| Тип кондукции | П типа |
| Резистивность (300К) | | 10 Ω·см |
| Концентрация несущей | >6С1016КМ-3 (давая допинг консентратион≥10кс1020км-3 |
| Подвижность | | 10км2/в·с |
| Плотность дислокации | < 5x10="">8км-2 (оцененное ФВХМс СРД) |
| Структура | 2~2.5 буфер лаер/430±25μм уГаН пГаН уГаН/50нм μм μм пГаН/2~2.5 |
| Ориентация сапфира | Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,2 ±0.1° |
| Квартира ориентации сапфира | (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм |
| Шероховатость поверхности: | Лицевая сторона: Сторона<0> Ра задняя: вытравленный или отполированный. |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение дефектов края и макроса) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
Отчет о ФВХМ и СРД
Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.
Проект испытания: Проект ФВХМ и СРД
Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.
Ниже пример ФВХМ и СРД шаблона АлН:
ФВХМ и СРД шаблона АлН
ФВХМ и СРД шаблона АлН
Здесь мы показываем эксперимент в качестве примера:
Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:
Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:
Все образцы фильма ГаН были депозированы на различных субстратах ПЛД на ◦К 1000 в атмосфере плазмы азота окружающей. Камера была нагнетена вниз к торр. 10−6 прежде чем процесс низложения начал, и газ Н2 (с очищенностью 99,999%) был введен. Давление деятельности как только плазма Н2 была впрыснута было торр. 1,13 × 10−4. Лазер екссимер КрФ (λ = 248 нм, Ламбда Фысик, Форт Лаудердале, ФЛ, США) был использован как источник удаления и управля с тарифом повторения 1 Хз и энергии в импульсе 60 мДж. Средние темпы роста фильма ГаН составляли около 1 µм/х. Лазерный луч был случаем по вращая цели под углом 45◦. Цель ГаН была изготовлена ХВПЭ и набором на фиксированном расстоянии 9 см от субстрата перед быть вращанным на 30 рпм во время низложения фильма. В этом случае, ~4 µм-толстых фильма ГаН вырослись на шаблоне ГаН/сапфира (попробуйте а), сапфире (образце б), Си (111) (образец к), и Си (100) (образец д). Для ГаН на образце а, слой 2-µм ГаН во первых был депозирован на субстрате сапфира МОКВД. Электронная микроскопия сканирования (СЭМ, С-3000Х, Хитачи, Токио, Япония), микрокопы электрона передачи (ТЭМ, Х-600, Хитачи, Токио, Япония), атомная микроскопия силы (АФМ, ДИ-3100, Веко, Нью-Йорк, НИ, США), дифракция рентгеновских лучей двух-Кристл (СРД, С'Перт ПРО МРД, ПАНалытикал, Альмело, Нидерланды), низкотемпературное фотолуминессенсе (ПЛ, Флоуромакс-3, Хориба, Токио, Япония), и спектроскопия Раман (Джобин Ивон, Хориба, Токио, Япония) были использованы для того чтобы исследовать микроструктуру и оптически свойства шаблонов ГаН депозированных на различных субстратах. Электрические свойства фильмов ГаН были определены измерением Ван дер Паув-Халл под жидким азотом охлаждая на 77 к
В диаграмме 4, квадрат РМС ‐ середины ‐ корня оценивает для образцов а, б, к, и д 2,1, 3,4, 14,3, и 17,7 нм, соответственно. Фильм, который выросли в образцах а и б показал довольно ровную поверхность, с шершавостью РМС быть 3,4 и 2,1 нм, соответственно, и шероховатость поверхности РМС образцов к и д были оценены как 14,3 и 17,7 нм, соответственно. Большие значения для шероховатости поверхности фильмов ГаН в образцах к и д могли быть должны к большому рассогласованию решетки между фильмом и субстратами
Уменшение в поверхностных роугхнессоккурс с ростом размера зерна, как упомянуто в СРД приводит
Диаграмма 4. атомные замечания (AFM) микроскопии силы выросли фильмов ГаН, который на различных субстратах РМС: среднеквадратичная величина