XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
субстрат Н-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (10-11) для Нонодевисес
ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.
ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.
Здесь показывает детальную спецификацию:
субстрат Н-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (10-11)
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН (10-11) - н |
| Размер | 5 кс 10 мм2 |
| Толщина | 350 ±25 µм µм 430 ±25 |
| Ориентация |
самолет (10-11) с угла к -оси 0 ±0.5° самолет (10-11) с угла к К-оси -1 ±0.2° |
| Тип кондукции | Н типа |
| Резистивность (300К) | < 0=""> |
| ТТВ | µм ≤ 10 |
| СМЫЧОК | -10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм |
| Шероховатость поверхности |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 10 5 до 5 кс 10 6 см-2 |
| Плотность дефекта макроса | 0 см-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение края) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
Применение субстрата ГаН
Полупроводниковое освещение: Приборы ГаН использованы как диоды ультра высокой яркости светоизлучающие (СИД), ТВ, автомобили, и общее освещение
Хранение ДВД: Голубые лазерные диоды
Прибор силы: Приборы ГаН использованы как различные компоненты в высокомощной и высокочастотной производительности электроники как клетчатые базовые станции, спутники, усилители силы, и инверторы/конвертеры для электротранспортов (EV) и гибридных электротранспортов (HEV). Чувствительность ГаН низкая к ионизирующему излучению (как другие нитриды группы ИИИ) делает им соответствующий материал для бортовых применений как массивы фотоэлемента для спутников и высокомощных, высокочастотных приборов для сообщения, погоды, и спутников наблюдения
Беспроводные базовые станции: Транзисторы силы РФ
Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотное ММИКс, РФ-цепи ММИКс
Датчики давления: МЭМС
Тепловые датчики: Пыро-электрические детекторы
Подготовлять силы: Интеграция смешанного сигнала ГаН/Си
Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника
Линии передачи энергии: Высоковольтная электроника
Датчики рамки: УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ детекторы
Фотоэлементы: Зазор диапазона ГаН широкий покрывает солнечный спектр от 0,65 еВ к еВ 3,4 (которое практически весь солнечный спектр), делая нитрид галлия индия
(ИнГаН) сплавляет идеальное для создания материала фотоэлемента. Вследствие этого преимущество, фотоэлементы ИнГаН, который выросли на субстратах ГаН балансировано для того чтобы стать одним из самых важных новых применений и рынка роста для вафель субстрата ГаН.
Идеал для ХЭМЦ, ФЭЦ
Проект диода ГаН Шотткы: Мы принимаем изготовленные на заказ спецификации диодов Шотткы изготовленных на, который ХВПЭ-выросли, свободно стоящие слоях нитрида галлия (ГаН) н- и п-типах.
Оба контакта (омовского и Шотткы) были депозированы на верхней поверхности используя Ал/Ти и Пд/Ти/Ау.
ОТЧЕТ О Материал-ТЕСТА кривых-ГаН СРД тряся
Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.
Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.
Ниже пример кривых СРД тряся материала ГаН:
Кривые СРД тряся материала ГаН