XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг Хвпе-ГаН для приборов ИИИ-нитрида
ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.
ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.
Здесь показывает детальную спецификацию:
Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг ГаН
| Деталь | А-У ПАМ-ФС-ГаН |
| Размер | 5 кс 10 мм2 |
| Толщина | 350 ±25 µм µм 430±25 |
| Ориентация |
Самолет (11-20) с угла к М-оси 0 ±0.5° Самолет (11-20) с угла к К-оси -1 ±0.2° |
| Тип кондукции | Н типа |
| Резистивность (300К) | < 0=""> |
| ТТВ | µм ≤ 10 |
| СМЫЧОК | -10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм |
| Шероховатость поверхности: |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 10 5 до 5 кс 106 см-2 |
| Плотность дефекта макроса | 0 см-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение края) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг ГаН
Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекрыстал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.
ГаН очень трудные (12±2 ГПа, механически стабилизированный широкий материал полупроводника бандгап с высокой теплоемкостью и термальной проводимостью. В своей чистой форме оно сопротивляется треснуть и можется быть депозирован в тонком фильме на сапфире или кремниевом карбиде, несмотря на рассогласование в их константах решетки. ГаН можно дать допинг с кремнием (Si) или с кислородом к н типа и с магнием (Mg) к п типа. Однако, изменение атомов Си и Мг путь кристаллы ГаН растут, вводил растяжимые стрессы и делающ их хрупким. Смеси Галлюмнитриде также клонят иметь высокую плотность дислокации, заказанн 108 до 1010 дефектов в квадратный сантиметр. Широкое поведение диапазон-зазора ГаН соединено с специфическими изменениями в структуре полосы электронной перестройки, занятии обязанности и регионах химического соединения.
Константа решетки субстрата ГаН
Параметры решетки нитрида галлия были измерены используя высокое огибание луча ‐ разрешения кс ‐
ГаН, сруктуре вуртцита. Константы а решетки против температуры.
ГаН, сруктуре вуртцита. Константы к решетки против температуры
Свойства субстрата ГаН
| СВОЙСТВО/МАТЕРИАЛ | Кубическое (бета) ГаН | Шестиугольное (альфа) ГаН |
| . | . | . |
| Структура | Сфалерит цинка | Урзите |
| Группа космоса | Ф бар4 3м | К46в (= П63мк) |
| Стабильность | Полуустойчивый | Стабилизированный |
| Параметры решетки на 300К | 0,450 нм | а0 = 0,3189 нм к0 = 0,5185 нм |
| Плотность на 300К | 6,10 g.cm -3 | 6,095 g.cm -3 |
| Модули пластичности на 300 к | . . | . . |
| Линейные Коефф теплового расширения. | . . | Вдоль а0: 5.59кс10-6 К-1 Вдоль к0: 7.75кс10-6 К-1 |
| на 300 к | ||
| Высчитанные самопроизвольно поляризации | Не применимый | – 0,029 к м-2 Бернардини и др. 1997 Бернардини & Фиорентини 1999 |
| Высчитанные пьезоэлектрические коэффициенты | Не применимый | е33 = + 0,73 к м-2 е31 = – 0,49 к м-2 Бернардини и др. 1997 Бернардини & Фиорентини 1999 |
| Энергии фонона | : меВ 68,9 ЛО: меВ 91,8 |
А1 (К): меВ 66,1 Э1 (К): меВ 69,6 Э2: меВ 70,7 А1 (ЛО): меВ 91,2 Э1 (ЛО): меВ 92,1 |
| Температура Дебе | (оцененное) 600К Вял, 1973 |
|
| Термальная проводимость близко 300К |
. . | Блоки: Вкм-1К-1 1,3, Танслей и др. 1997б 2.2±0.2 для толщиной, свободно стоящее ГаН Ваудо и др., 2000 2,1 (0,5) для материала ЛЕО где немногие вывихивания (много) Флореску и др., 2000, 2001 около 1,7 к 1,0 для н=1кс1017 к 4кс1018км-3 в материале ХВПЭ Флореску, Мольнар и др., 2000 2,3 ± 0,1 в Фе-данном допинг материале ХВПЭ ом-см кс108 КА. 2, & см-2 КА. 105 плотности дислокации (влияния также, который дали т & плотности дислокации). Мион и др., 2006а, 2006б |
| Точка плавления | . . | . . |
| Диэлектрическая константа на низкой/низкой частоте |
. . | Вдоль а0: 10,4 Вдоль к0: 9,5 |
| Р.И. | 2,9 на 3еВ Танслей и др. 1997б |
2,67 на 3.38еВ Танслей и др. 1997б |
| Природа перепада энергии например | Сразу | Сразу |
| Перепад энергии например на 1237К | еВ 2,73 Чинг-Хуа Су и др., 2002 |
|
| Перепад энергии например на 293-1237 к | 3.556 - 9.9кс10-4Т2/еВ (Т+600) Чинг-Хуа Су и др., 2002 |
|
| Перепад энергии например на 300 к | еВ 3,23 Рамирез-Флорес и др. 1994 . еВ 3,25 Логотетидис и др. 1994 |
еВ 3,44 Монемар 1974 . еВ 3,45 Коиде и др. 1987 . еВ 3,457 Чинг-Хуа Су и др., 2002 |
| Перепад энергии например на КА. 0 к | еВ 3,30 Рамирез-Флорес ет ал1994 Плоог и др. 1995 |
еВ 3,50 Динле и др. 1971 Монемар 1974 |
| Конк внутреннеприсущей несущей на 300 к | . . | . . |
| Энергия ионизацией… дарителя | . …. | . …. |
| Масса электрона эффективная я */м0 | . . | 0,22 Мооре и др., 2002 |
| Подвижность электрона на 300 к для н = 1кс1017 км-3: для н = 1кс1018 км-3: для н = 1кс1019 км-3: |
. . | КА. 500 км2В-1с-1 КА. 240 км2В-1с-1 КА. 150 км2В-1с-1 Ехал & Гаскилл, 1995 Танслей и др. 1997а |
| Подвижность электрона на 77 к для н =. |
. …. | . …. |
| Энергия ионизацией акцепторов | . . | Мг: меВ 160 Амано и др. 1990 Мг: меВ 171 Золпер и др. 1995 Ка: меВ 169 Золпер и др. 1996 |
| Подвижность Халл отверстия на 300 к для п=…. |
. . | . …. |
| Подвижность Халл отверстия на 77 к для п=…. |
. …. | . . |
| . | Кубическое (бета) ГаН | Шестиугольное (альфа) ГаН |
Применение субстрата ГаН
Нитрид галлия (ГаН), с сразу зазором диапазона еВ 3,4, многообещающий материал в развитии приборов коротк-длины волны светоиспускающих. Другие применения оптического прибора для ГаН включают лазеры полупроводника и оптически детекторы.