XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Плоский субстрат Н-ГаН Фрестандинг ГаН
ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.
ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.
Здесь показывает детальную спецификацию:
Плоский субстрат Н-ГаН Фрестандинг ГаН
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН |
| Размер | 5 кс 10 мм2 |
| Толщина | 350 ±25 µм µм 430±25 |
| Ориентация |
Самолет (11-20) с угла к М-оси 0 ±0.5° Самолет (11-20) с угла к К-оси -1 ±0.2° |
| Тип кондукции | Н типа |
| Резистивность (300К) | < 0=""> |
| ТТВ | µм ≤ 10 |
| СМЫЧОК | -10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм |
| Шероховатость поверхности: |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 10 5 до 5 кс 106 см-2 |
| Плотность дефекта макроса | 0 см-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение края) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
Плоский субстрат Н-ГаН Фрестандинг ГаН
Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекрыстал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.
ГаН очень трудные (12±2 ГПа, механически стабилизированный широкий материал полупроводника бандгап с высокой теплоемкостью и термальной проводимостью. В своей чистой форме оно сопротивляется треснуть и можется быть депозирован в тонком фильме на сапфире или кремниевом карбиде, несмотря на рассогласование в их константах решетки. ГаН можно дать допинг с кремнием (Si) или с кислородом к н типа и с магнием (Mg) к п типа. Однако, изменение атомов Си и Мг путь кристаллы ГаН растут, вводил растяжимые стрессы и делающ их хрупким. Смеси Галлюмнитриде также клонят иметь высокую плотность дислокации, заказанн 108 до 1010 дефектов в квадратный сантиметр. Широкое поведение диапазон-зазора ГаН соединено с специфическими изменениями в структуре полосы электронной перестройки, занятии обязанности и регионах химического соединения.
Кристаллическая структура сфалерита цинка
| Примечания | Референс | ||
| Перепады энергии, например | еВ 3,28 | 0 к | Боугров и др. (2001) |
| Перепады энергии, например | еВ 3,2 | 300 к | |
| Сродство к электрону | еВ 4,1 | 300 к | |
| Зона проводимости | |||
| Разъединение энергии между долиной Γ и долинами еΓ кс | еВ 1,4 | 300 к | Боугров и др. (2001) |
| Разъединение энергии между долиной Γ и л долинами ел | 1,6 еВ ÷ 1,9 | 300 к | |
| Эффективная плотность зоны проводимости государств | 1,2 кс 1018 см-3 | 300 к | |
| Валентная полоса | |||
| Энергия закрутк-орбитального разделяя етак | 0,02 еВ | 300 к | |
| Эффективная плотность валентной полосы государств | 4,1 кс 1019 см-3 | 300 к |
 |
Лентообразная структура сфалерита цинка (кубического) ГаН. Важные минимумы зоны проводимости и максимумов валентной полосы. 300К; Например еВеВ =3.2; ЭВ еС= 4,6; ЭВ еЛ= 4.8-5.1; Этак = 0,02 еВ Для деталей см. Сузуки, Уенояма & Янасе (1995). |
|
Зона Бриллюэна центрогранной кубической решетки, решетка Бравайс структур диаманта и зинкбленде. |