XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
вафля нитрида галлия си-ГаН самолета (20-2-1) Фрестандинг (ГаН)
ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.
ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.
Здесь показывает детальную спецификацию:
субстрат си-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (20-2-1)
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН (20-2-1) - СИ |
| Размер | 5 кс 10 мм2 |
| Толщина | 350 ±25 µм µм 430±25 |
| Ориентация |
(20-21)/самолет (20-2-1) с угла к -оси 0 ±0.5° (20-21)/самолет (20-2-1) с угла к К-оси -1 ±0.2° |
| Тип кондукции | Полу-изолировать |
| Резистивность (300К) | >106 Ω·см |
| ТТВ | µм ≤ 10 |
| СМЫЧОК | -10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм |
| Шероховатость поверхности: |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 10 5 до 5 кс 106 см-2 |
| Плотность дефекта макроса | 0 см-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение края) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
субстрат си-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (20-2-1)
Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей делал индустрию полупроводника переосмыслить выбор материала используемые как полупроводники. Например, по мере того как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникают, польза кремния делает ее трудным вытерпеть закон Мооре. Но также в производительности электроники, свойства кремния больше не достаточны для того чтобы позволить более дополнительным улучшениям в эффективности преобразования.
Должен к своим уникальному пробивному напряжению характеристик (высокое максимальное настоящего, высокой, и высокой переключая частоте), нитрид галлия (или ГаН) уникальный материал выбора для того чтобы разрешить энергитические проблемы будущего. ГаН основало системы имеет более высокий энергетический коэффициент полезного действия, таким образом уменьшающ потери электропитания, переключите на более высокой частоте, таким образом уменьшающ размер и вес.
Латтисе константа субстрата ГаН
Параметры решетки нитрида галлия были измерены используя высокое огибание луча ‐ разрешения кс ‐
ГаН, сруктуре вуртцита. Константы а решетки против температуры.
ГаН, сруктуре вуртцита. Константы к решетки против температуры
Свойства субстрата ГаН
| СВОЙСТВО/МАТЕРИАЛ | Кубическое (бета) ГаН | Шестиугольное (альфа) ГаН |
| Структура | Сфалерит цинка | Урзите |
| Группа космоса | Ф бар4 3м | К46в (= П63мк) |
| Стабильность | Полуустойчивый | Стабилизированный |
| Параметры решетки на 300К | 0,450 нм | а0 = 0,3189 нм к0 = 0,5185 нм |
| Плотность на 300К | 6,10 g.cm -3 | 6,095 g.cm -3 |
| Модули пластичности на 300 к | . . | . . |
| Линейные Коефф теплового расширения. на 300 к |
. . | Вдоль а0: 5.59кс10-6 К-1 Вдоль к0: 7.75кс10-6 К-1 |
| Высчитанные самопроизвольно поляризации | Не применимый | – 0,029 к м-2 Бернардини и др. 1997 Бернардини & Фиорентини 1999 |
| Высчитанные пьезоэлектрические коэффициенты | Не применимый | е33 = + 0,73 к м-2 е31 = – 0,49 к м-2 Бернардини и др. 1997 Бернардини & Фиорентини 1999 |
Энергии фонона |
: меВ 68,9 ЛО: меВ 91,8 |
А1 (К): меВ 66,1 Э1 (К): меВ 69,6 Э2: меВ 70,7 А1 (ЛО): меВ 91,2 Э1 (ЛО): меВ 92,1 |
| Температура Дебе | (оцененное) 600К Вял, 1973 |
|
Термальная проводимость близко 300К |
. . | Блоки: Вкм-1К-1 1,3, Танслей и др. 1997б 2.2±0.2 для толщиной, свободно стоящее ГаН Ваудо и др., 2000 2,1 (0,5) для материала ЛЕО где немногие вывихивания (много) Флореску и др., 2000, 2001 около 1,7 к 1,0 для н=1кс1017 к 4кс1018км-3 в материале ХВПЭ Флореску, Мольнар и др., 2000 2,3 ± 0,1 в Фе-данном допинг материале ХВПЭ ом-см кс108 КА. 2, & см-2 КА. 105 плотности дислокации (влияния также, который дали т & плотности дислокации). Мион и др., 2006а, 2006б |
| Точка плавления | . . | . . |
| Диэлектрическая константа на низкой/низкой частоте |
. . | Вдоль а0: 10,4 Вдоль к0: 9,5 |
| Р.И. | 2,9 на 3еВ Танслей и др. 1997б |
2,67 на 3.38еВ Танслей и др. 1997б |
| Природа перепада энергии например | Сразу | Сразу |
| Перепад энергии например на 1237К | еВ 2,73 Чинг-Хуа Су и др., 2002 |
|
| Перепад энергии например на 293-1237 к | 3.556 - 9.9кс10-4Т2/еВ (Т+600) Чинг-Хуа Су и др., 2002 |
|
| Перепад энергии например на 300 к | еВ 3,23 Рамирез-Флорес и др. 1994 . еВ 3,25 Логотетидис и др. 1994 |
еВ 3,44 Монемар 1974 . еВ 3,45 Коиде и др. 1987 . еВ 3,457 Чинг-Хуа Су и др., 2002 |
| Перепад энергии например на КА. 0 к | еВ 3,30 Рамирез-Флорес ет ал1994 Плоог и др. 1995 |
еВ 3,50 Динле и др. 1971 Монемар 1974 |
| Конк внутреннеприсущей несущей на 300 к | . . | . . |
| Энергия ионизацией… дарителя | . …. | . …. |
| Масса электрона эффективная я */м0 | . . | 0,22 Мооре и др., 2002 |
| Подвижность электрона на 300 к для н = 1кс1017 км-3: для н = 1кс1018 км-3: для н = 1кс1019 км-3: |
. . | . КА. 500 км2В-1с-1 КА. 240 км2В-1с-1 КА. 150 км2В-1с-1 Ехал & Гаскилл, 1995 Танслей и др. 1997а |
| Подвижность электрона на 77 к для н =. |
. …. | . …. |
| Энергия ионизацией акцепторов | . . | Мг: меВ 160 Амано и др. 1990 Мг: меВ 171 Золпер и др. 1995 Ка: меВ 169 Золпер и др. 1996 |
| Подвижность Халл отверстия на 300 к для п=…. |
. . | . …. |
| Подвижность Халл отверстия на 77 к для п=…. |
. …. | . . |
| . | Кубическое (бета) ГаН | Шестиугольное (альфа) ГаН |
Применение субстрата ГаН
Нитрид галлия (ГаН), с сразу зазором диапазона еВ 3,4, многообещающий материал в развитии приборов коротк-длины волны светоиспускающих. Другие применения оптического прибора для ГаН включают лазеры полупроводника и оптически детекторы