XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
субстрат 10*10мм2 Н-ГаН Фрестандинг ГаН, Эпи-готовый с двойной отполированной стороной
ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.
ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.
Здесь показывает детальную спецификацию:
субстрат 10*10мм2 Н-ГаН Фрестандинг ГаН
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН-50-Н |
| Размер | 10 кс 10,5 мм2 |
| Толщина | 350 ±25 µм µм 430±25 |
| Ориентация | Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,35 ±0.15° |
| Тип кондукции | Н типа |
| Резистивность (300К) | < 0=""> |
| ТТВ | µм ≤ 10 |
| СМЫЧОК | -10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм |
| Шероховатость поверхности: |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 105 к 5кс 106 см-2 (высчитанных КЛ) * |
| Плотность дефекта макроса | 0 см-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение края) |
|
Пакет |
каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
субстрат 10*10мм2 Н-ГаН Фрестандинг ГаН
Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекрыстал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.
ГаН очень трудные (12±2 ГПа, механически стабилизированный широкий материал полупроводника бандгап с высокой теплоемкостью и термальной проводимостью. В своей чистой форме оно сопротивляется треснуть и можется быть депозирован в тонком фильме на сапфире или кремниевом карбиде, несмотря на рассогласование в их константах решетки. ГаН можно дать допинг с кремнием (Si) или с кислородом к н типа и с магнием (Mg) к п типа. Однако, изменение атомов Си и Мг путь кристаллы ГаН растут, вводил растяжимые стрессы и делающ их хрупким. Смеси Галлюмнитриде также клонят иметь высокую плотность дислокации, заказанн 108 до 1010 дефектов в квадратный сантиметр. Широкое поведение диапазон-зазора ГаН соединено с специфическими изменениями в структуре полосы электронной перестройки, занятии обязанности и регионах химического соединения.
ОТЧЕТ О материал-ТЕСТА Трансмитансе-ГаН
Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.
Проект испытания: Трансмитансе
Пропускаемость поверхности вафли эффективность своей передачи радиационной энергии. Сравненный с коэффициентом передачи, это часть силы случая электромагнитной переданной через образец, и коэффициент передачи коэффициент переданного электрического поля к электрическому полю случая.
Ниже пример Трансмитансе материала ГаН:
Трансмитансе материала ГаН