SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

ШАНХАЙСКАЯ ИЗВЕСТНАЯ ТОРГОВАЯ КОМПАНИЯ, ООО Ради хорошей репутации, благодаря лучшему качеству, с максимальной эффективностью.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
9 лет
Главная / продукты /

sic-substrate

контакт
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrWang
контакт
1 - 10 из 190

 sic-substrate

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридн

Субстрат SiC, Субстрат Кремниевого Карбида, Субстрат SiC сырой, Субстрат Кремниевого Карбида сырой, Прайм-Грейд, Думи-Грейд, Субстрат SiC 4H-P, Субстр...
контакт

Add to Cart

6H-P Силиконовый карбид Си Си субстрат 6 дюймовый SIC вафель 4H-P Для оптоэлектр

Субстрат SiC, Субстрат Кремниевого Карбида, Субстрат SiC сырой, Субстрат Кремниевого Карбида сырой, Прайм-Грейд, Думи-Грейд, Субстрат SiC 4H-P, Субстр...
контакт

Add to Cart

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субс

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продук......
контакт

Add to Cart

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

тип субстрат толщины 4H n 6inch Dia150mm 350um SiC для SBD для применения MOS ранг одиночное Кристл исследования субстрата 2inch Dia50mm 4H Semi......
контакт

Add to Cart

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

тип ранг толщины 4H-N 2inch dia50.8mm 330μm продукции субстрата SiC вафли 6H кремниевого карбида 2inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя......
контакт

Add to Cart

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

ранг одиночное Кристл исследования субстрата 2inch Dia50.8mm 4H-Semi SiC ранг продукции субстрата толщины 4H N типа SiC 2inch dia50mm 330μm вафл......
контакт

Add to Cart

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные пе

вафля 3инч сик, субстраты кремниевого карбида особой чистоты 4Х, субстраты особой чистоты 4инч СиК, субстраты для полупроводника, субстраты кремниевог...
контакт

Add to Cart

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC тип субстрат толщины 4H n 6inch Dia150mm 350um SiC для SBD для......
контакт

Add to Cart

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм Высокая твердость

SiC Wafer, Silicon Carbide Wafer, SiC Substrate, Silicon Carbide Substrate, Prime Grade, Dummy Grade, 2-дюймовый SiC, 4-дюймовый SiC, 6-дюймовый SiC,....
контакт

Add to Cart

4 дюйма 3C N-тип SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат толщиной 350um Прайм-кл

3C SiC Wafer, 3C Silicon Carbide Wafer, SiC Substrate, Silicon Carbide Substrate, Prime Grade, Dummy Grade, 4 дюймовый 3C N-type SiC, 4 дюймовый SiC,....
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0