SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД Для хорошей репутации, самым лучшим качеством, с самой быстрой эффективностью.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
8 лет
Главная / продукты / SiC Substrate /

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

контакт
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrWang
контакт

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Спросите последнюю цену
Номер модели :4инч--семи особая чистота
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1шт
Способность поставкы :100pcs/months
Срок поставки :15days
Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
материал :кристалл sic
индустрия :вафля полупроводника
применение :приведенный полупроводник, прибор, производительность электроники, 5G
цвет :голубой, зеленый, белый
тип :4H, ДАННОЕ ДОПИНГ не не данное допинг 6H, особая чистота
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

вафля 3инч сик, субстраты кремниевого карбида особой чистоты 4Х, субстраты особой чистоты 4инч СиК, субстраты для полупроводника, субстраты кремниевого карбида 4инч 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида сик одиночные кристаллические, слитки сик для самоцвета

Зоны применения

1 диод Шотткы электронных устройств частоты коротковолнового диапазона и наивысшей мощности, ДЖФЭТ, БДЖТ, ПиН, диоды, ИГБТ, МОСФЭТ

2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД ГаН/СиК голубом (ГаН/СиК)

адвантагемент

• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона

Карборунд вафли субстрата СиК кремниевого карбида кристаллический

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

Свойство 4Х-СиК, одиночное Кристл 6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки а=3.076 Å к=10.053 Å а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Твердость Мохс ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 г/км3 3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61

не = 2,66

отсутствие = 2,60

не = 2,65

Диэлектрическая константа к~9.66 к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K

к~3.7 В/км·K@298K

Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K

к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K

к~3.2 В/км·K@298K

Диапазон-зазор еВ 3,23 еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106В/км 3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105м/с 2.0×105м/с

2. размер субстратов стандарта

спецификации субстрата кремниевого карбида 3 дюймов диаметра 4Х
СВОЙСТВО СУБСТРАТА Ультра ранг Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг
Диаметр 76,2 мм ±0.38 мм
Поверхностная ориентация на-ось: ± 0.2° {0001}; внеосевой: 4°товард <11-20> ± 0.5°
Основная плоская ориентация <11-20> ̊ ± 5,0
Вторичная плоская ориентация 90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого
Основная плоская длина 22,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина 11,0 мм ± 1.5мм
Край вафли Чамфер
Плотность Микропипе км2 ≤1 микропипес/ км2 ≤5 микропипес/ км2 ≤10 микропипес/ км2 ≤50 микропипес/
Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности Никакие позволили зона ≤10%
Резистивность 0,015 Ω·км~0.028 Ω·см (зона 75%) 0.015Ω·км~0.028 Ω·см
Толщина 350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм
ТТВ μм ≤10 μм ≤15
Смычок (абсолютная величина) μм ≤15 μм ≤25
Искривление μм ≤35

3.сампле

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

вопросы и ответы:

К: Что путь условия доставки и цены и оплаты?

А: (1) мы аксепт100% Т/Т заранее ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 25пкс вверх.

К: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?

А: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

Запрос Корзина 0