SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД Для хорошей репутации, самым лучшим качеством, с самой быстрой эффективностью.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
8 лет
Главная / продукты /

Субстрат SiC

контакт
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrWang
контакт
1 - 10 из 100

 Субстрат SiC

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

субстраты 6inch sic, 4h-n, 4H-SEMI, субстраты полупроводника sic кристаллического блока sic слитков sic слитка sic кристаллические, кремниевый карбид....
контакт

Add to Cart

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

2-дюймовые 6-H-полусиковые пластинки, индивидуальные сиковые подложки, 2-дюймовые 6-H-Н-сиковые пластинки, сиковые кристаллические слитки, Силиконовые...
контакт

Add to Cart

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

субстраты 6инч сик, слиток сик, слитки сик кристаллические, блок сик кристаллический, субстраты полупроводника сик, вафля кремниевого карбида 6инч, ва...
контакт

Add to Cart

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства, Зоны приме......
контакт

Add to Cart

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

блок кремниевого карбида сломанный сик, слиток сик ранга самоцвета, утиль сик толщины 5-15мм Особенность вафли СиК Свойство......
контакт

Add to Cart

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

субстраты очищенности 4инч СиК Субстратешигх кремниевого карбида особой чистоты 4Х Полу-изолируя, субстраты для субстратов полупроводника 4инч СиК, су...
контакт

Add to Cart

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

10кс10мм 5кс5мм подгоняло квадратные субстраты сик, вафли 1инч сик, обломоки сик кристаллические, субстраты полупроводника сик, вафлю 6Х-Н СИК, вафлю....
контакт

Add to Cart

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

субстраты 6инч сик, субстраты 2инч 3инч 4инч 6инч 4х полупроводника сик кристаллического блока сик слитков сик слитка сик кристаллические отсутствие д...
контакт

Add to Cart

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

вафля 3инч сик, субстраты кремниевого карбида особой чистоты 4Х, субстраты особой чистоты 4инч СиК, субстраты для полупроводника, субстраты кремниевог...
контакт

Add to Cart

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

субстраты очищенности 4инч СиК Субстратешигх кремниевого карбида особой чистоты 4Х Полу-изолируя, субстраты для субстратов полупроводника 4инч СиК, су...
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0