продукты Поставщики Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная /

продукты

/

Вафля GaN эпитаксиальная

Категории продукта

Вафля GaN эпитаксиальная

 [68]

Вафля Sic эпитаксиальная

 [33]

Эпи-пластина GaAs

 [15]

CVD-алмазные подложки

 [15]

Быстрая термальная обжигая система

 [2]

Тестер датчика Холла

 [3]

Вафля нитрида алюминия

 [21]

Обломок лазерного диода

 [10]

Кремниевый карбид Кристл

 [12]

Ga2O3 пластина

 [13]

кремниевая пластина

 [26]

Вафля сапфира

 [19]

Сделанные по образцу субстраты сапфира

 [10]

Держатель вафли тефлона

 [1]

Машина для нарезки вафель

 [5]
контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контактная информация
контакт
1 - 10 из 253

 продукты
China самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15° for sale

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

C-сторона ² 10*10.5mm ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=&quot;&quot;> ОбзорОсобенности ...
контакт

Add to Cart
China 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства for sale

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI с С-образной поверхностью, легированная Fe Удельное сопротивление > 106Ом·см Р......
контакт

Add to Cart
China µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл for sale

µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл

C-сторона 10*10.5mm2 Si-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=&quot;&quot;> ОбзорСубстрат нитр...
контакт

Add to Cart
China 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения for sale

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения

C-сторона 10*10.5mm2 Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·вафля приборов RF см......
контакт

Add to Cart
China -сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер for sale

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=&quot;&quot;> Обзор Плотность мощно...
контакт

Add to Cart
China -сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см for sale

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·вафля приборов RF см......
контакт

Add to Cart
China M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер for sale

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=&quot;&quot;> ОбзорЭти вафли GaN о...
контакт

Add to Cart
China Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face for sale

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·вафля приборов RF см......
контакт

Add to Cart
China 5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства for sale

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

SP-сторона 5*10.5mm2 (10-11) ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=&quot;&quot;> Генератив...
контакт

Add to Cart
China 5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm for sale

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=&quot;&quot;> ОбзорGaN им...
контакт

Add to Cart
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4