Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг
Add to Cart
-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·вафля приборов RF см
Обзор
Тонкие вафли Epi обыкновенно использованы для приборов MOS ведущей кромки. Толстое Epi или Мульти-наслоенные эпитаксиальные вафли использованы для приборов главным образом для того чтобы контролировать электричество, и они вносят вклад в улучшающ эффективность энергопотребления.
Субстрат нитрида галлия (GaN) высококачественный субстрат одно-Кристл. Он сделан с первоначальным методом HVPE и технологическим прочессом вафли, который первоначально был начат в течение многих лет. Особенности высокое кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности.
Эти вафли GaN осуществляют беспрецедентные ультра-яркие лазерные диоды и приборы силы высокой эффективности для пользы в источниках света репроектора, инверторах для электротранспортов, и других применениях.
| Субстраты GaN стороны свободно стоящие | ||||
| Деталь | GaN-FS--U-S |
GaN-FS--N-S |
GaN-FS--SI-S |
Угол дуги круга (r < 2="" mm=""> |
| Размеры | 5 x 10 mm2 | |||
| Толщина | µm 350 ±25 | |||
| Ориентация |
Самолет (11-20) с угла к M-оси 0 ±0.5° Самолет (11-20) с угла к C-оси - 1 ±0.2° |
|||
| Тип кондукции | N типа |
N типа |
Полу-изолировать | |
| Резистивность (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·см | |
| TTV | µm ≤ 10 | |||
| СМЫЧОК | - 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm | |||
| Шершавость лицевой поверхности |
< 0=""> или < 0=""> |
|||
| Задняя шероховатость поверхности |
0,5 μm ~1,5 вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0=""> |
|||
| Плотность дислокации | От 1 x 105 до 3 x 106 см-2 | |||
| Плотность дефекта макроса | 0 см-2 | |||
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение края) | |||
| Пакет | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота | |||
Приложение: Диаграмма угла miscut
Если ±0.5° δ1 = 0, тогда самолет (11-20) с угла к M-оси 0 ±0.5°.
Если δ2 = - 1 ±0.2°, тогда самолет (11-20) с угла к C-оси - 1 ±0.2°.
О нас
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.
вопросы и ответы
Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <>
>=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.
Примечания: