Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты / GaN Epitaxial Wafer /

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контакт

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Место происхождения :Сучжоу Китай
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :10000pcs/Month
Срок поставки :3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Номер модели :JDCD01-001-001
Размеры :10 х 10,5 мм²
Толщина :350 ±25µm
Ориентация :Плоскость С (0001) под углом к ​​оси М 0,35 ±0,15°
TTV :≤ 10µm
Смычок :- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
Плотность дефекта макроса :² 0cm⁻
Годная к употреблению область :> 90% (исключение края)
Название продукта :Вафля GaN эпитаксиальная
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

C-сторона ² 10*10.5mm ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">


Обзор
Особенности высокое кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты GaN использованы для применений LD (фиолетовый, голубой и зеленый).
Furthermore, развитие развило для силы и высокочастотного применения электронного устройства.

10 x 10,5 субстратов mm2 свободно стоящих GaN
Деталь GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

Примечания:
Угол дуги круга (r < 2="" mm="">

Размеры 10 x 10,5 mm2
Толщина µm 350 ±25
Ориентация Самолет c (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°
Тип кондукции N типа N типа Полу-изолировать
Резистивность (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·см
TTV µm ≤ 10
Смычок - 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm
Шероховатость поверхности стороны Ga < 0=""> или < 0="">
Шероховатость поверхности стороны n 0,5 μm ~1,5
вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">
Плотность дислокации От 1 x 105 до 3 x 106 см-2 (высчитанных CL) *
Плотность дефекта макроса 0 см-2
Годная к употреблению область > 90% (исключение края)
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота

стандарты *National Китая (GB/T32282-2015)

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Запрос Корзина 0