CO. обслуживаний администрации предприятия шелкового пути Пекин, LTD

Integrity management, solidarity and mutual help, innovation and change, pragmatism and efficiency.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
7 лет
Главная / продукты /

Обломок флэш-памяти

контакт
CO. обслуживаний администрации предприятия шелкового пути Пекин, LTD
Посетите вебсайт
Страна/регион:china
Контактное лицо:Mr
контакт
1 - 10 из 16

 Обломок флэш-памяти

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

Внезапный обломок К4В4Г1646Э-БК1А Меморры, графическая память ГДДР3 256Мкс16 4Г Категория ДРАХМА Класс График ГДР Описание ГДДР3 256Мкс16 Номер детали...
контакт

Add to Cart

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

Обломок В9712Г6КБ-25 флэш-памяти, ДРАХМА 128М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ТФБГА ИК Технические данные продукта ЕС РоХС Уступчивый ЭККН (США) ЭАР99 Тип ДРАХМЫ ДДР2 ...
контакт

Add to Cart

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный

Обломок В631ГГ6КБ-12 флэш-памяти, ПАРАЛЛЕЛЬ 96ВБГА ДРАХМЫ 1Г ИК Обломок ДРАХМЫ ДДР3 СДРАМ 1Гбит 64Мкс16 1.5В 96-Пин ВБГА Технические данные продукта Е...
контакт

Add to Cart

Обломок флэш-памяти В9725Г6ДЖБ25И-НД, ПАРАЛЛЕЛЬ 84ВБГА ДРАХМЫ 256мб Нанд ИК внезапная

Обломок В9725Г6ДЖБ25И-НД флэш-памяти, ДРАХМА 256М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ВБГА ИК Основные черты Тип ДДР2 СДРАМ Организация кс16 Скорость 400 МХз Напряжение то...
контакт

Add to Cart

Индустрия 84ВБГА 400МХз флэш-памяти 512Мб микросхемы ПАРАЛЛЕЛИ ДРАХМЫ В9751Г6КБ-25 ИК

ДРАХМА 512М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ВБГА обломока В9751Г6КБ-25 ИК флэш-памяти Технические данные продукта ЕС РоХС Уступчивый ЭККН (США) ЭАР99 Тип ДРАХМЫ ДДР2 С...
контакт

Add to Cart

Дюйм 7мм хранения 2,5 обломока Бга132 флэш-памяти Тх58тег9ддкба8х 64гб Нанд

Обломок ТХ58ТЭГ9ДДКБА8Х флэш-памяти, ХРАНЕНИЕ 64Г Нанд БГА132 Деталь Нумбе: ТХ58ТЭГ9ДДКБА8Х Изготовление: Тошиба Категория продуктов: Память & флэш-па...
контакт

Add to Cart

Обломок флэш-памяти большой емкости ТК58БИГ1С3ХБАИ6, привод 67ВФБГА вспышки 2гб Нанд

ПАРАЛЛЕЛЬ 67ВФБГА ВСПЫШКИ 2Г обломока ТК58БИГ1С3ХБАИ6 ИК флэш-памяти он ТК58БИГ1С3ХБАИ6 одиночное 1.8В 2 Гбит (2 214 592 512 бита) НАНД электрически с...
контакт

Add to Cart

Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик

ПАРАЛЛЕЛЬ 63ВФБГА вспышки 2Г обломока МС30ЛФ2Г18АК-СКИ ИК Нанд флэш-памяти Серия МС30ЛФкс 2 Гб (256 м кс 8) флэш-память НАНД держателя поверхности 3,6 ...
контакт

Add to Cart

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

ВСПЫШКА 512М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 63ВФБГА обломока МС30ЛФ1208АА-СКИ ИК НАНД флэш-памяти Основное описание: Флэш-память серии 3,6 в 512 Мбит МС30ЛФ (64 бита) м ...
контакт

Add to Cart

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

ДРАХМА обломока ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР флэш-памяти, 128МС8, 0.4нс, КМОС, ПБГА60 Особенности ВДД = 1,8 +/- 0.1В•ВДДК = 1,8 +/- 0.1В Все входы и выходы со...
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0