продукты Поставщики Sign in Register

CO. обслуживаний администрации предприятия шелкового пути Пекин, LTD

Integrity management, solidarity and mutual help, innovation and change, pragmatism and efficiency.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
7 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Flash Memory Chip /

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

Категории продукта

Чип процессора C.P.U.

 [47]

Процессоры C.P.U. ноутбука

 [66]

Процессор настольного компьютера

 [19]

C.P.U. сервера

 [15]

Процессоры мобильного устройства

 [15]

Обломок GPU

 [20]

Набор микросхем Northbridge и Southbridge

 [19]

Микросхема памяти ДРАХМЫ

 [25]

Обломок флэш-памяти

 [16]

Микросхема памяти SSD

 [13]

Микросхема памяти EMMC

 [15]

Память EMCP

 [15]

Микросхема памяти IC

 [10]
контакт
CO. обслуживаний администрации предприятия шелкового пути Пекин, LTD
Посетите вебсайт
Страна/регион:china
Контактное лицо:Mr
контактная информация
контакт
China Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА wholesale
  • China Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА wholesale
  • China Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА wholesale

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА
Спросите последнюю цену
Номер модели :В9712Г6КБ-25
Количество минимального заказа :1 упаковщик
Термины компенсации :Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Способность поставкы :6000pcs в месяц
Срок поставки :3-5 дней работы
Упаковывая детали :10cm x 10cm x 5cm
Деталь Numbe :В9712Г6КБ-25
Категория продуктов :Память & флэш-память
Емкость запоминающего устройства :128Мб (8М кс 16)
Частота :200MHz
Вольт :1,7 В | 1,9 В
Технологии :СДРАМ - ДДР2
Temp. :0°К | 85°К (ТК)
Пакет :BGA84
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Обломок W9712G6KB-25 флэш-памяти, ДРАХМА 128M ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84TFBGA IC

 

 

Технические данные продукта

ЕС RoHS Уступчивый
ECCN (США) EAR99
Тип ДРАХМЫ DDR2 SDRAM
Плотность обломока (бит) 128M
Организация 8Mx16
Количество внутренних банков 4
Количество слов в банк 2M
Количество битов/слова (бит) 16
Ширина шины данных (бит) 16
Максимальное время выборки (ns) 0,4
Ширина адресной шины (бит) 15
Тип интерфейса SSTL_18
Минимальная работая подача напряжения (v) 1,7
Типичная работая подача напряжения (v) 1,8
Максимальная работая подача напряжения (v) 1,9
Рабочий ток (мамы) 135
Минимальная рабочая температура (°C) 0
Максимальная рабочая температура (°C) 85
Количество линий I/O (бит) 16
Пакет поставщика TFBGA
Имя стандартного пакета BGA
Отсчет Pin 84
Установка Поверхностный держатель
Высота пакета 0,8 (Макс)
Длина пакета 12,5
Ширина пакета 8
PCB изменил 84
Форма руководства Шарик

 

 

Особенность:

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

 

 

Метки товара:

nand flash memory chip

flash memory datasheet

nand flash ic
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4