продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY wholesale
  • China Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY wholesale

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY
Спросите последнюю цену
Номер детали :BLP05H635XRY
Изготовитель :Ampleon США Inc.
Описание :FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 RF
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации BLP05H635XRY

Состояние части Активный
Тип транзистора LDMOS (двойное), общедоступный источник
Частота 108MHz
Увеличение 27dB
Напряжение тока - тест 50V
Настоящая оценка -
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 10mA
Сила - выход 35W
Расклассифицированное напряжение тока - 135V
Пакет/случай SOT-1223-2
Пакет прибора поставщика 4-HSOPF
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка BLP05H635XRY

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRYОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRYОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRYОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY

Метки товара:

rf npn transistors

transistores de rf

mosfet para rf
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4