продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor / Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY /

show pictures

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY
  • Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP05H635XRY
продукты подробные
Спецификации BLP05H635XRY Состояние части Активный Тип транзистора LDMOS (двойное), общедоступный источник Частота 108MHz Увеличение 27dB Напряжение т...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
Транзисторы rf npn трансисторес де рф Мосфет пара рф

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4