Атрибут продукта	Атрибут со значением
Изготовитель:	Infineon
Категория продукта:	MOSFET
RoHS:	Детали
Технология:	Si
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	SOIC-8
Полярность транзистора:	N-канал
Количество каналов:	1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	30 v
Id - непрерывное течение стока:	18 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	6,8 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 20 V, + 20 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:	1,8 v
Qg - обязанность ворот:	17 nC
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 150 c
Pd - диссипация силы:	2,5 w
Режим канала:	Повышение
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Упаковка:	Вьюрок
Бренд:	Технологии Infineon
Конфигурация:	Одиночный
Высота:	1,75 mm
Длина:	4,9 mm
Тип продукта:	MOSFET
	4000
Subcategory:	MOSFETs
Тип транзистора:	1 N-канал
Ширина:	3,9 mm
Часть # псевдонимы:	IRF8736TRPBF SP001551638
Вес блока:	0,019048 oz

Применение

Одновременный MOSFET для силы процессора тетради
Одновременный MOSFET выпрямителя тока для изолированных конвертеров DC-DC внутри
Переключая применения
Моторы BLDC
Трехфазные моторы постоянного магнита одновременные
Инверторы
Половинные водители моста
Робототехнические системы управления
Приборы
Инфраструктура решетки
EPOS • Домашнее theate
Распределенные электрические системы
Сообщения/инфраструктура сети

СХЕМА ДАННЫХ ЗАГРУЗКИ

Защита сети полупроводников обломока транзистора влияния поля IPD060N03LGATMA1 дискретная

Процесс заказа

Добавьте части к форме RFQ	Представьте RFQ	Мы отвечаем в течение 24 часов
Вы подтверждаете заказ	Оплата	Корабль вне ваш заказ

Больше моделей FET

Диаграмма обломока

Метки товара:

smd resistor types

p enhancement mosfet model

Запрос Корзина 0