продукты Поставщики Sign in Register

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

CO. ШЭНЬЧЖЭНЯ ТЕХНОЛОГИИ VBE, LTD Умный поставщик водя решений безопасностью RF

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
8 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / RF Power Transistor / ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным /

show pictures

Категории продукта

Сотовый телефон сигнала Jammer

 [48]

jammer сигнала wifi

 [22]

Handheld Jammer сигнала

 [47]

Джаммерс бомбы обоза

 [24]

jammers телефона тюремной камеры

 [14]

Jammer сигнала наивысшей мощности

 [15]

портативный jammer сигнала

 [15]

jammer сигнала gps

 [18]

анти- джаммерс трутня

 [37]

Детекторы дронов

 [16]

Перехват мобильного телефона

 [6]

Модуль усилителя силы РФ

 [25]

Сотовый телефон сигнал повторителя

 [11]

передвижная ракета -носитель сигнала

 [12]

детектор сигнала рф

 [5]

RF Мощность транзистор

 [10]

Компоненты RF пассивные

 [6]

Антенны RF

 [5]
контакт
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrCharms Zhao
контактная информация
контакт

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным
ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным
  • ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным
продукты подробные
список продуктов, подробные →
Метки товара:
Транзисторы мосфета рф мощности Транзистор мощности rf mosfet Мощность рф мосфета

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4