продукты Поставщики Sign in Register

Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
5 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая

Категории продукта

STM32 IC

 [10]

Стабилизатор IC напряжения тока

 [52]

Блок микроконтроллера MCU

 [109]

Транзистор силы Mosfet

 [25]

Транзисторы силы подсказки

 [3]

Транзистор силы кремния

 [3]

Двойной переключая диод

 [3]

Удваивает - Mosfet канала

 [1]

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

 [1]

Транзистор влияния поля Mos

 [10]

Стабилитрон силы

 [1]

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

 [1]

Высоковольтный диод выпрямителя тока

 [1]
контакт
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrJimmy Lee
контактная информация
контакт
China утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая wholesale
  • China утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая wholesale

утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая
Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :PCS 1000-2000
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 - 2 недели
Условия оплаты :L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :18,000,000PCS/в день
Номер модели :MMBD1501A
Тип :ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ DIODESOD
ОСОБЕННОСТЬ :Низкая утечка
Транзистор mosfet силы :SOT-23 Пластмасс-помещают диоды
Напряжение тока DC преграждая :200v
ID продукта :MMBD1501A
Диссипация силы :350mW
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ДИОД SOT-23 УТЕЧКИ MMBD1501A НИЗКИЙ Пластмасс-помещает диоды


 

ОСОБЕННОСТЬ
 
утечка  низкая
електропроводимостьь  высокая

Маркировка: A11

утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая

 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Ta=25℃ если не указано иное)
утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая

 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Ta=25℃ если не указано иное)
 

 утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая
 


 
 
 
Типичное Characterisitics
    
 
утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкаяутечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая



 
 
 
 
 
 
Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 ТИПА 0,037 ТИПА
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REF 0,022 REF
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 

Метки товара:

silicon rectifier diode

p enhancement mosfet model

silicon power transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4