transistor amplifier design

Интегрированные схемы IC E047 05 Мосфетский транзистор TO247 IRFP064NPBF P3 светодиодный модуль Транзистор Усилители Части Транзисторы [Who - Мы чт.........

Транзистор BC337 NPN общецелевой ОСОБЕННОСТИ • Большой ток (максимальные 500 мам) • Низшее напряжение (максимальное 45 v). ПРИМЕНЕНИЯ.........

Усилитель силы усилителя 2.4GHz 802.11b/g/n WLAN TXtelsig YP242434 Wifi RF YP242434 высокомощный, высоко- усилитель силы линеарностей основанный на.........

...

N/A интегральные схемаы 2SC2782 микроконтроллера IC MCU электронных блоков 2SC2782 Спецификация деталь......

Кремниевый транзистор 175MHz 6W POWER MOSFET RD06HVF1 RF для применений усилителей Описание RD06HVF1 RD06HVF1 — это полевой МОП-транзистор, специально ......

усилитель силы класса 3У 4 С 400В АБ с транзисторами силы ТОШИБА (МА-4400) Быстрые детали: Транзистор Атопт БОЛЬШОЙ ТОШИБА, очень идеальный звук Эффек......

Тип мосфет ФЭТ МОС РД06ХВФ1 силы мосфет низкой мощности транзистора высоковольтный ОПИСАНИЕ РД06ХВФ1 тип транзистор ФЭТ МОС специфически констр.........

Транзистор силы ТИП142 Мосфет Дарлинтон двухполярный для применений усилителя и переключения ТИП140, ТИП141, ТИП142, (НПН); ТИП145, ТИП146, ТИП147.........

2SC2690: Польза в транзисторах NEC усилителей силы аудио и радиочастоты общецелевых ОПИСАНИЕ2SC2690, 2SC2690A общецелевые транзисторы конст.........

Транзистор силы AD8351ARMZ-REEL7 RF Характер продукции: AD8351ARMZ-REEL7 транзистор силы предварительного кремния двухполярный специфически.........

...

...

Продукт P/N: AMP-4CH-24V Усиливаясь доска соответствующая для установки в регулятор контрольной панели PLC и микрокомпьютера одно-обломока терминала........

SOT-323 3904W /3906W NPN и PNP Кремний СТРАНИЦЫ -Эти транзисторы предназначены для усилителей общего назначения. в системе SOT323/SC70, предназнач.........

5A 16-канальный транзисторный модуль PLC 24V Входной сигнал NPN / PNP для сервосистемы Транзисторная усилительная пластина бесконтактная, DC 24V, уп........

оригинал 2N4416 до отверстие JFET n - канал - Ciss низкого уровня 30 v ОСОБЕННОСТИ • Геометрия InterFET N0026S • Малошумный: 4 nV/√Hz типичног.........