rf mosfet amplifier design

Спецификации 1 гарантия конкурентоспособной цены 2 delicery 4 каждой из частей 3 быстрого нового и первоначального.........

Транзисторы мосфет силы рф КРЕМНИЯ НПН для усилителей силы РФ на ВХФ соединяют мобильное радио, 2СК1972 ОПИСАНИЕ: АСИ 2СК1972 конструировано д.........

ВЧ-усилитель мощности с неравномерностью усиления ≤ ± 0,5 дБ и групповой задержкой ≤ 2 нс, модуль подавления радиочастотного сигнала Описание проду.........

Сигнал усилителя силы 40dBm RF SMA/N CWХарактер продукции: Усилитель силы RF Усилитель силы RF конструирован для применений радио наивысшей мощнос.........

Транзистор RFP-LD10M влияния поля полупроводника металлической окиси PXAC241702FC-V1-R250 RF (MOSFET RF)......

40 КГц PSat 48 дБм Усилитель мощности HF Усилитель линейного радиочастотного тока для радиолокационных систем, спутниковой связи Dвыписка Усилитель.........

Усилитель силы RF наивысшей мощности линейный поддержка 868Mhz/915Mhz 25 ватт Особенности: Интегрированное PA источника и RF шума в одном доме.........

...

Усилитель мощности 2 Вт COFDM RF для беспилотных летательных аппаратов дальнего радиуса действия UAV Video Link 12-18VDC Введение PA700MHz-2W - эт.........

D1028UK RF MOSFET Транзисторы RF MOSFET N-CH 70V 30A 5-прикосновный корпус DR Производитель: TT Electronics Категория продукции: Транзисторы М.........

Детектор сигнала сотового телефона EST-101B портативный белый, детекторы CDMA GSM 3G 1.Quick Deteils Модель нет: EST-101B цвет: белый ряд: 1-10M 2......

Пакет 69-UFBGA усилителя GHz WLAN CMOS транзистора силы 2,4 CYW43362KUBGT RF Тип TxRx + MCU...

Мосфет ЛДМОС МРФЭ6ВП5600ХР5 РФ (двойное) 50В 100мА 230МХз 25дБ 600В НИ-1230 Эти высокие приборы пересеченности конструированы для пользы в высоком ВСВ......

усилитель силы 2Watt RF линейный HN-PA2W_750MHZ усилитель силы 800MHZ 2W RF линейный Имя модуля: усилитель силы 2W 800MHz RF линейный Модельный тип: ......

ХН-ПА20В_550: индекс радиочастоты усилителя силы 550МХз КОФДМ 20В РФ: Коэффициент стоящей волны ≤1.35 ввода напряжения ровным управлением АЛК предела ......