Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

Транзисторы мосфет силы рф КРЕМНИЯ НПН для усилителей силы РФ на ВХФ соединяют мобильное радио, 2СК1972

Категории продукта

обломок интегральной схемаы

programmable обломоки ic

Печатная плата чипов

Диод выпрямителя тока

Транзистор Mosfet силы

3 Pin Транзистор

RJ45 локальные сети Jack

Датчик давления IC

Модуль питания Mosfet

SMD феррит

smd вело диод

SMD резисторы

Электронные IC чипы

компоненты электроники

контакт

Anterwell Technology Ltd.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissSharon Yang

контактная информация

контакт

China Транзисторы мосфет силы рф КРЕМНИЯ НПН для усилителей силы РФ на ВХФ соединяют мобильное радио, 2СК1972 wholesale

China Транзисторы мосфет силы рф КРЕМНИЯ НПН для усилителей силы РФ на ВХФ соединяют мобильное радио, 2СК1972 wholesale

Транзисторы мосфет силы рф КРЕМНИЯ НПН для усилителей силы РФ на ВХФ соединяют мобильное радио, 2СК1972

Спросите последнюю цену

Номер модели :2SC1972

Место происхождения :Первоначально фабрика

Количество минимального заказа :20

Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal

Способность поставкы :8000

Срок поставки :1 день

Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей

Увеличение наивысшей мощности :Гпе>=7.5дБ @Вкк=13.5В, По=14В, ф=175МХз

Пакет :В-220

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Транзисторы мосфет силы рф КРЕМНИЯ НПН для усилителей силы РФ на ВХФ соединяют мобильное радио, 2СК1972

ОПИСАНИЕ:

АСИ 2СК1972 конструировано для усилителей силы РФ на применениях радио диапазона ВХФ мобильных.

ОСОБЕННОСТИ ВКЛЮЧАЮТ:

• Заменяет первоначальное 2СК1972 в большинств применениях

• Высокое увеличение уменьшает требования к привода

• Экономический пакет ТО-220

**МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ**
И_К	3,5 а
В_КБО	35 в
П_ДИСС	25 в @ ТК = °К 25
Т_СТГ	-55 °К к °К +175
θ_ДЖК	6,0 °К/В

**ХАРАКТЕРИСТИКИ** ТК = °К 25
СИМВОЛ	УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ	МИНИМАЛЬНЫЙ.	ТИП.	МАКС.	БЛОКИ
_{ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР} БВ	И_к = 50 мам	17			В
БВ_КБО	И_к = 10 мам	35			В
БВ_ЭБО	И_к = 10 мам	4,0			В
И_КБО	В_КЭС = 25 В			100	µА
И_ЭБО	В_ЭБ = 3,0 В			500	µА
_ФЭ х	В_КЭ = 10 В и_к = 100 мам	10	50	180	---
η_к П_ВНЕ	В_КК = 13,5 В П_В = 2,5 в ф =175 МХз	60 14	70 15		% В

Метки товара:

ku band power amplifier

dual band 802.11 ac

802.11 ac dual band

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4