переключатель мосфета питания

Мосфет силы переключения мосфет низкой мощности транзистора силы 2СБ1316ТЛ] Особенности 1) Соединение Дарлинтон для высокого увеличения ДК настоящ.........

Array...

Регулятор переключения ИК МОСФЭТ силы Н-канала 2СК3878 К3878 ТО3П Список других электронных блоков в запасе КККА43ДЖБ1Х103МТ010Н ТДК ЛД1117АГ-1.5В-А У......

Применения MOSFET 4A 650V СИЛЫ F4N65L TO-220F-3L в переключая электропитаниях и переходниках 4A, 650V N-КАНАЛЕ TO-220F-3L ПРИВОДЯТ ОПИСАНИЕ в действие ......

Силовая электроника МОП-транзистора IPD60R2K1CEAUMA1 Описание продукта: IPD60R2K1CEAUMA1 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор,.........

МОСФЭТ СИЛЫ 10Н60 К-МТК 10А 600ВН-КХАННЭЛ ОПИСАНИЕ УТК 10Н60К-МТК высоковольтный МОСФЭТ силы конструированный для того чтобы иметь лучшие хар.........

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

MOSFET NUS5530MN наивысшей мощности интегрировал с транзистором переключения PNP низким VCE (сидел) [Кто мы?] CO. Ltd электроники солнеч.........

Описание MOSFET силы канала STP15810 n: MOSFETs этой силы N-канала используют технологию STripFET™ F7 с увеличенной структурой ворот канавы которая пр......

JUYI 500V/8A N Мод усиления канала Мосфет питания с быстрым переключением и восстановлением корпуса Общее описание Продукт использует передовые пл.........

MOSFET N-канала HXY9926A 20V двойной Общее описание HXY9926A использует предварительную технологию канавы к предусмотрите превосходный.........

MOSFET силы режима повышения канала JY8N5M n для электропитания режима переключателя Общее описаниеПродукт использует предварительные плоскостные ме........

Переключатель транзистора ТОПФЭТ ПоверМОС транзисторов БУК201-50И НПН ПНП высокий бортовой ОПИСАНИЕ Монолитовая температура и переключатель мощности з......

NCS20074DTBR2G — высокоскоростной драйвер сдвоенных MOSFET для мощных MOSFET и IGBT Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: NCS20074D.........

Интегральная схемаа IPT020N10N5ATMA1 MOSFET силы первоначальная Характер продукции Меньше требуемого проходить параллельно Увеличенная п.........

Модуль питания Четырехкомпонентная топология A2F12M12W2-F1 SiC Power MOSFET IGBT Module Full Bridge Описание A2F12M12W2-F1 Этот силовой моду.........

Высокое напряжение IR21094STRPBF, высокоскоростные водители MOSFET силы и IGBT Описание Инфракрасн 2109(4) (s) высоковольтные, высокоскоростные в.........

Вид продукции Fets P-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3401a одиночные AO3401A использует предварительную технологию канавы........