Характер продукции
Канал 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF MOSFET n силы Infineon HEXFET
Технологии IRLR3915TRPBF Infineon/международные продукты полупроводника N-канала 55V 30A DPAK MOSFET IOR HEXFET выпрямителя тока дискретные
Держатель D-Пак поверхности v 30A N-канала 55 (Tc) 120W (Tc)
Описание
Этот MOSFET силы HEXFET® использует самые последние методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Дополнительные особенности этого продукта рабочая температура соединения 175°C, быстро переключая скорости и улучшенной повторяющийся оценки лавины. Эти особенности совмещают для того чтобы сделать этим дизайном весьма эффективный и надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.
Особенности:
Лавина предварительной рабочей температуры На-сопротивления 175°C технологического прочесса ультра низкой быстрая переключая повторяющийся позволенная до пастбища Tjmax D-Пак IRLR3915PbF Я-Пак IRLU3915PbF
Технические данные продукта
| Номер детали |
IRLR3915TRPBF |
| Низкопробный номер детали |
IRLR3915 |
| ЕС RoHS |
Уступчивый с освобождением |
| ECCN (США) |
EAR99 |
| Состояние части |
Активный |
| HTS |
8541.29.00.95 |
|
Категория
|
Дискретные продукты полупроводника
|
| |
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
|
|
Mfr
|
|
|
Серия
|
HEXFET®
|
|
Пакет
|
|
|
Состояние части
|
|
|
Тип FET
|
|
|
Технология
|
MOSFET (металлическая окись)
|
|
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)
|
|
|
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C
|
|
|
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)
|
|
|
Rds на (Макс) @ id, Vgs
|
|
|
Id Vgs (th) (Макс) @
|
|
|
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs
|
|
|
Vgs (Макс)
|
|
|
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
|
|
|
Особенность FET
|
|
|
Диссипация силы (Макс)
|
|
|
Рабочая температура
|
|
|
Устанавливать тип
|
|
|
Пакет прибора поставщика
|
|
|
Пакет/случай
|
TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63
|
|
Низкопробный номер продукта
|
IRLR3915
|
