power mosfet basics

Мосфет силы переключения мосфет низкой мощности транзистора силы 2СБ1316ТЛ] Особенности 1) Соединение Дарлинтон для высокого увеличения ДК настоящ.........

Прочный промышленный высокопроизводительный МОСФЕТ Теплоотделение Оксид металла МОСФЕТ Описание продукта: MOSFET является устройством типа N и имеет........

Применения MOSFET 4A 650V СИЛЫ F4N65L TO-220F-3L в переключая электропитаниях и переходниках 4A, 650V N-КАНАЛЕ TO-220F-3L ПРИВОДЯТ ОПИСАНИЕ в действие ......

MOSFET 100V ® PowerTrench N-канала MOSFET FDI045N10A наивысшей мощности, 164A, 4.5mΩ MOSFET 100V ® PowerTrench N-канала MOSFET FDI045N10A наивысш.........

Array...

IRF840APBF MOSFET Высокопроизводительная силовая электроника для повышения надежности и эффективности Тип полевого транз.........

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

МОСФЭТ 55В 49А 94В СИЛЫ Н-канала ИРФЗ44Н до отверстие ТО-220 Описание Предварительные МОСФЭЦ силы ХЭСФЭТ® от Интернатионал Выпрямитель тока испо.........

N-канал 80 v MOSFET STP100N8F6, тип 0,008 омов, 100 a, MOSFET силы STripFET F6 в общем описании пакета TO-220: Этот прибор MOSFET силы N-канала превра......

МОСФЭТ силы 2Н60-ТК3 2А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В ОПИСАНИЕ УТК 2Н60-ТК3 высоковольтный МОСФЭТ силы и конструирован для того чтобы иметь лучш.........

Высокое напряжение IR21094STRPBF, высокоскоростные водители MOSFET силы и IGBT Описание Инфракрасн 2109(4) (s) высоковольтные, высокоскоростные в.........

Вид продукции Fets P-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3401a одиночные AO3401A использует предварительную технологию канавы........

ТРАНЗИСТОРЫ M68702H MOSFET СИЛЫ 150-175MHZ RF ДЛЯ РАДИО FM МОБИЛЬНОГО Условие: Продукт 100% совершенно новый Состояние части: А.........

JUYI Tech JY09M N Улучшение канала MOS IC TO-220 70V90A Мощность Мосфета * * * Pls свяжитесь с нами, чтобы получить больше информации о JY09M, спаси........

1200V MOSFET силы кремниевого карбида N-канала MOSFET SCTWA50N120 до отверстие HiP247 Характер продукции SCTWA50N120 MOSFET 1200 v силы кр.........

Интегральная схемаа IPT020N10N5ATMA1 MOSFET силы первоначальная Характер продукции Меньше требуемого проходить параллельно Увеличенная п.........

P-канал MOSFETs одиночный P-CH 20V 9A 8WDFN FETs транзисторов NTTFS3A08PZTAG Описание продуктов: 1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET силы P-канала 2.........