2Н60 2А, МОСФЭТ СИЛЫ 600ВН-КХАННЭЛ

Номер модели:2N60

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа:1000-2000 ПК

Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день

Срок поставки:1 до 2 недели

контакт

Add to Cart

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Активный участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

последний раз поставщика входа: в рамках 14 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

МОСФЭТ силы 2Н60-ТК3

2А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

ОПИСАНИЕ

УТК 2Н60-ТК3 высоковольтный МОСФЭТ силы и конструирован для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и иметь характеристики высокие изрезанные лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно используемые на высокой скорости переключая применения в управлениях электропитаний, мотора ПВМ, высоком эффективном ДК к конвертерам ДК и мостиковых схемах.

ОСОБЕННОСТИ

РДС (ДАЛЬШЕ) < 7="">

Высокая скорость переключения

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер		Пакет	Штыревая идентификация			Паковать
Неэтилированный	Галоид освобождает	Пакет	1	2	3	Паковать
2Н60Л-ТФ1-Т	2Н60Г-ТФ1-Т	ТО-220Ф1	Г	Д	С	Трубка
2Н60Л-ТФ3-Т	2Н60Г-ТФ3-Т	ТО-220Ф	Г	Д	С	Трубка
2Н60Л-ТМ3-Т	2Н60Г-ТМ3-Т	ТО-251	Г	Д	С	Трубка

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

КВ-Р205-461.А

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК н (т_к = 25°С, если не указано иное)

ПАРАМЕТР		СИМВОЛ	ОЦЕНКИ	БЛОК
Напряжение тока Сток-источника		ВДСС	600	В
Напряжение тока Ворот-источника		ВГСС	± 30	В
Стеките течение	Непрерывный	И_Д	2	А
Стеките течение	Пульсированный (примечание 2)	ИДМ	4	А
Энергия лавины	Определите пульсированный (примечание 3)	ЭАС	84	мДж
Выступите спасение дв/дт диода (примечание 4)		дв/дт	4,5	В/нс
Диссипация силы	ТО-220Ф/ТО-220Ф1	П_Д	23	В
Диссипация силы	ТО-251	П_Д	44	В
Температура соединения		Т_Дж	+150	°К
Температура хранения		ТСТГ	-55 \| +150	°К

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, И_КАК =1.4А, в_ДД = 50В, р_г = Ω 25 начиная т_дж = 25°К

6. И ≤ 2.0А_СД, ди/дт ≤200А/μс, _ДД ≤БВ_ДСС В, начиная т_дж = 25°К

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ н

ПАРАМЕТР		СИМВОЛ	ОЦЕНКИ	БЛОК
Соединение к окружающему	ТО-220Ф/ТО-220Ф1	θДжА	62,5	°К/В
Соединение к окружающему	ТО-251	θДжА	100	°К/В
Соединение к случаю	ТО-220Ф/ТО-220Ф1	θДжК	5,5	°К/В
Соединение к случаю	ТО-251	θДжК	2,87	°К/В

ХАРАКТЕРИСТИКИ н ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (т_дж = 25°С, если не указано иное)

ПАРАМЕТР		СИМВОЛ	УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ	МИНУТА	ТИП	МАКС	БЛОК
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источника		БВДСС	В_ГС=0В, И_Д= 250μА	600			В
Течение утечки Сток-источника		ИДСС	В_ДС=600В, В_ГС=0В			1	µА
Течение утечки Ворот-источника	Передний	ИГСС	В_ГС=30В, В_ДС=0В			100	нА
Течение утечки Ворот-источника	Обратный	ИГСС	В_ГС=-30В, В_ДС=0В			-100	нА
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога ворот		ВГС (ТХ)	В_ДС=ВГС, И_Д=250μА	2,0		4,0	В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источника		РДС (ДАЛЬШЕ)	В_ГС=10В, И_Д=1.0А			7,0	Ω
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкость		КИСС	В_ГС=0В, в_ДС=25В, ф=1.0 МХз		190		пФ
Емкость выхода		КОСС			28		пФ
Обратная емкость передачи		КРСС			2		пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Полная обязанность ворот (примечание 1)		К_Г	В_ДС=200В, в_ГС=10В, И_Д=2.0А и_Г=1мА (примечание 1, 2)		7		нК
Обязанность Гатеоурсе		КГС			2,9		нК
Обязанность Ворот-стока		КГД			1,9		нК
Турн-он время задержки (примечание 1)		тД (ДАЛЬШЕ)	В_ДС=300В, в_ГС=10В, И_Д=2.0А, р_Г=25Ω (примечание 1, 2)		4		нс
Время восхода		т_р			16		нс
Время задержки поворота-		тД ()			16		нс
Падени-время		т_ф			19		нс
ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СТОКА ИСТОЧНИКА
Максимальный непрерывно протекающий ток Тел-диода		И_С				2	А
Максимальный Тел-диод пульсировал течение		ИЗМ				8	А
Пропускное напряжение диода Сток-источника (примечание 1)		ВСД	В_ГС=0В, И_С=2.0А			1,4	В
Обратное время восстановления (примечание 1)		трр	В_ГС=0В, И_С=2.0А, дИ_{Ф/дт=100А/µс} (Ноте1)		232		нс
Обратная обязанность спасения		Крр	В_ГС=0В, И_С=2.0А, дИ_{Ф/дт=100А/µс} (Ноте1)		1,1		µК

Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

Существенно независимый рабочей температуры.

Профиль Компании

CO. электроники Шэньчжэня Huaxuan Yang, Ltd. профессиональные изготовитель, экспортер и изготовитель электронных блоков китайских брендов. Главные продукты полупроводниковые устройства как транзисторы и диоды MOS. Наши продукты главным образом использованы для беспроводной поручать, заряжателя, переключая электропитания, электропитания UPS, балласта, аудио, энергосберегающих ламп, продуктов связи и других электронных блоков. Качество продукции, экологически дружелюбный и неэтилированный, прошло аттестацию системы управления качеством ISO 90012008, аттестацию CTI экологическую.

Компания всегда поддерживает веру которой «требования к клиента наше преследование, интересы клиента наши интересы» и придерживается к общему соображению дела целостности, трансцендентальности, профессионализма, и сработанности. Это не только качественный и недорогой продукт для клиентов, но также зависит на улучшении обслуживаний и концепций. Это было мостом через мир и интегрировано в глобальный экономический прилив.