обломок вспышки нанд

2Gbit ((256x8) NAND Flash Chip IMS2G083ZZC1S-WP ОБЯЗАННОСТИ Технология одноуровневых ячеек Открытый интерфейс NAND FLASH ((ONFI) 1.0 Напряжение пит.........

PSLC Nand Flash Chips eMMC 5.1 Высокоустойчивая встроенная память для интеллектуальных динамиков с использованием ИИ PSLC eMMC потребительского кла.........

Обломок IC интегральной схемаы Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND внезапный Перечисление продукта: Флэш-память NAND клетки КИПАРИСА.........

MT29F4G01ABBFDWB-IT:F Микросхема памяти IC MT29F4G01ABBFDWB-IT:F - это микросхема флэш-памяти NAND объемом 4 Гбит в корпусе UPDFN8. Эта мультип.........

МИКРОН MT29F32G08CBADBWP ICs управления силы обломока Ic флэш-памяти NAND Вид продукции МИКРОН MT29F32G08CBADBWP ICs управления силы обломок.........

Обломок IC KMV3W000LM-B310 флэш-памяти N7100 EMMC 16GB Nand Для обломока IC флэш-памяти eMMC 16GB Nand SMG Note2 N7100 KMV3W000LM-B310 запрограмм.........

Регулятор МултиМедяКард (MMC) ВЕСА МТФК4ГАКАДЖКН-1М и флэш-память НАНД внезапная откалывают микрон ИК ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ Микрон е.ММК запоминающее устрой.......

Микрон IC обломока регулятора MultiMediaCard ВЕСА MTFC4GACAJCN-1M (MMC) и флэш-памяти NAND внезапный ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ Микрон e.MMC сообщение и массовое.......

Обломок высококачественной контрольной панели внезапный: 29F2G08ABAEA SLC NAND внезапное параллельное 3.3VПервоначальная и подлинная память 29F2G08A........

MT29F4G08ABADAH4-AITX - флэш-память 4GB NAND Введение: MT29F4G08ABADAH4-AITX модуль флэш-памяти 4GB NAND конструированный для пользы.........

MT29F2G08ABAEAH4-IT: E NAND внезапное асинхронное SLC 2Gbit 8bit 35mA 256MX8 VFBGA-63 Спецификации Атрибут продукта Атрибут со значением.........

ФЛЭШ-ПАМЯТЬ W25N01GVZEIG 3V 1G-BIT СЕРИЙНАЯ SLC NAND С DUAL/QUAD SPI ЧТЕНИЕ БУФЕРА & НЕПРЕРЫВНОЕ ЧТЕНИЕ 3V 1G-BIT СЕРИЙНАЯ ФЛЭШ-ПАМЯТЬ.........

Описание продукта: Samsung Electronics K9K8G08U0D-SCB0 представляет собой slc nand flash параллельный 3.3v 8g-bit 1g x 8 25ns 48-pin tsop-i в микро.........

Хранение данных флэш-памяти NAND eMMC eMMC 8GB 3.3V 200Mhz IS21ES08G-JCLI ОСОБЕННОСТИ • Упакованная флэш-память NAND с интерфейсом eMMC 5,0.........

TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба NAND внезапное параллельное 1.8V 67-Pin VFBGA 1G-bit 128M x 8Технические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый.........

USB CTLR NAND NX2LP 56QFN 3V CY7C68023-56LTXC IC | поверхностный держатель 3.6V Mfr Технологии Infineon...

ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ IPhone 7 IC NAND памяти AMD ВНЕЗАПНОЕ плюс 218-0792006 144TQFP Обломок предварительное микро- Devices/AMD 218-0792006 IC пам.........

Вспышка W25N01GVZEIG 1G-bit серийная NAND, 3V Список других электронных блоков в запасе...