Технические данные продукта

ЕС RoHS

Уступчивый

ECCN (США)

3A991.b.1.a

Состояние части

Активный

Автомобильный

Неизвестный

PPAP

Неизвестный

Тип клетки

NAND

Плотность обломока (бит)

Архитектура

Sectored

Блок ботинка

Никакой

Организация блока

Симметричный

Ширина адресной шины (бит)

Размер участка

128Kbyte x 1024

Размер страницы

2Kbyte

Количество битов/слова (бит)

Количество слов

128M

Программируемость

Да

Приурочивая тип

Асинхронный

Максимальное время стирания (s)

0.01/Block

Максимальное программируя время (госпожа)

0,7

Технологический прочесс

CMOS

Тип интерфейса

Параллельный

Минимальная работая подача напряжения (v)

1,7

Типичная работая подача напряжения (v)

1,8

Максимальная работая подача напряжения (v)

1,95

Программируя напряжение тока (v)

1,7 до 1,95

Рабочий ток (мамы)

Течение программы (мамы)

Минимальная рабочая температура (°C)

-40

Максимальная рабочая температура (°C)

Команда совместимая

Никакой

Поддержка ECC

Да

Поддержка режима страницы

Никакой

Пакет поставщика

VFBGA

Отсчет Pin

Установка

Поверхностный держатель

Высота пакета

0,7 (Макс)

Длина пакета

Ширина пакета

6,5

PCB изменил

Pin ТАК n T/R бита 8 ST серийный EEPROM I2C 256K M24256-BRMN6TP

Вспышка Nand МИКРОНА MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F с мобильным MCP шарика LPDDR2 162

Хранение данных MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 флэш-памяти микрона

GD25LQ64CWIGR Gigadevice двойное и флэш-память Spi квадрацикла 133 MHz

MT29TZZZ8D5JKERL--MCP LPDDR3 хранения данных 8GB EMMC 8Gb флэш-памяти 107W.95E мобильный

Микрон NAND MT29GZ5A5BPGGA 53IT.87J основал MCP ЕС RoHS уступчивое

Хранение данных флэш-памяти 24LC01B-I/SN, бит 3.3V/5V Eeprom 1K микросхемы серийный

24LC256-I/SM бит 32K x микросхемы I2c Eeprom 256K 8 3.3V/5V 8 трубка Pin SOIJ

Микросхема 512K хранения данных флэш-памяти 24LC512-I/SM сдержала 64Kx8

Pin SOIC n T/R бита 8 хранения данных EEPROM I2C 256K флэш-памяти 24LC256T-E/SN

Полупроводник EEPROM SOIC-8_150mil GT24C02A-2GLI-TR Giantec 1 MHz

Хранение данных флэш-памяти GAL16V8D-15LPN, Pin PDIP полупроводника 50MHz 5V 20 решетки

Провод EEPROM 1K СЕНТЕНЦИИ 1 DS2431Q+T&R сдержал 1K x 1 медицинский EP T/R 6-Pin TDFN

Хранение данных M25PE16-VMW6TG 16M сериала ни флэш-памяти микрона сдержало 2M x 8 8ns

Хранение данных Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit флэш-памяти M24M01-RMN6TP

Вспышка 1.8V 1G TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба параллельная Nand сдержала 128M x 8 67 Pin VFBGA

Электронный блок Кристл

Электронные диоды и транзисторы

Блок MCU микроконтроллера

Хранение данных флэш-памяти

Соединитель доски PCB

Интегральная схемаа SMD

Модуль цифров электронный

MOSFET наивысшей мощности

СИД оптической электроники

Пассивные электронные блоки

Цепь FPC гибкая напечатанная

Обслуживание собрания PCB

Электронное табло цифров

Реле силы сигнала

Глубокий переключатель SMD

Инструменты разработчика

Кабельная проводка UL

Датчики электронного блока

Собрания кольца выскальзывания

Вспышка 1.8V 1G TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба параллельная Nand сдержала 128M x 8 67 Pin VFBGA

TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба NAND внезапное параллельное 1.8V 67-Pin VFBGA 1G-bit 128M x 8

Технические данные продукта

kingston kvr667d2n5

pc133 ram

kingston dt101 g2