ЕС RoHS	Уступчивый
ECCN (США)	3A991.b.1.a
Состояние части	Активный
Автомобильный	Неизвестный
PPAP	Неизвестный
Тип клетки	NAND
Плотность обломока (бит)	1G
Архитектура	Sectored
Блок ботинка	Никакой
Организация блока	Симметричный
Ширина адресной шины (бит)	28
Размер участка	128Kbyte x 1024
Размер страницы	2Kbyte
Количество битов/слова (бит)	8
Количество слов	128M
Программируемость	Да
Приурочивая тип	Асинхронный
Максимальное время стирания (s)	0.01/Block
Максимальное программируя время (госпожа)	0,7
Технологический прочесс	CMOS
Тип интерфейса	Параллельный
Минимальная работая подача напряжения (v)	1,7
Типичная работая подача напряжения (v)	1,8
Максимальная работая подача напряжения (v)	1,95
Программируя напряжение тока (v)	1,7 до 1,95
Рабочий ток (мамы)	30
Течение программы (мамы)	30
Минимальная рабочая температура (°C)	-40
Максимальная рабочая температура (°C)	85
Команда совместимая	Никакой
Поддержка ECC	Да
Поддержка режима страницы	Никакой
Пакет поставщика	VFBGA
Отсчет Pin	67
Установка	Поверхностный держатель
Высота пакета	0,7 (Макс)
Длина пакета	8
Ширина пакета	6,5
PCB изменил	67

Вспышка 1.8V 1G TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба параллельная Nand сдержала 128M x 8 67 Pin VFBGA

Электронный блок Кристл

Электронные диоды и транзисторы

Блок MCU микроконтроллера

Хранение данных флэш-памяти

Соединитель доски PCB

Интегральная схемаа SMD

Модуль цифров электронный

MOSFET наивысшей мощности

СИД оптической электроники

Пассивные электронные блоки

Цепь FPC гибкая напечатанная

Обслуживание собрания PCB

Электронное табло цифров

Реле силы сигнала

Глубокий переключатель SMD

Инструменты разработчика

Кабельная проводка UL

Датчики электронного блока

Собрания кольца выскальзывания

Вспышка 1.8V 1G TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба параллельная Nand сдержала 128M x 8 67 Pin VFBGA

TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба NAND внезапное параллельное 1.8V 67-Pin VFBGA 1G-bit 128M x 8

Технические данные продукта

kingston kvr667d2n5

pc133 ram

kingston dt101 g2