Нанд чип

Обломок IC интегральной схемаы Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND внезапный Перечисление продукта: Флэш-память NAND клетки КИПАРИСА.........

МИКРОН MT29F32G08CBADBWP ICs управления силы обломока Ic флэш-памяти NAND Вид продукции МИКРОН MT29F32G08CBADBWP ICs управления силы обломок.........

Обломок интегральной схемаы 74ХК20Д, удваивает 4 иньпут электронного блока ИК ворот НАНД Удваивают 4 иньпут ворота НАНД 74ХК/ХКТ20 ОСО.........

Обломок интегральной схемы 74ХК20Д, двойные электронные блоки ИК ворот НАНД 4 входных сигналов Двойной вентиль NAND с 4 входами 74HC/.........

Регулятор МултиМедяКард (MMC) ВЕСА МТФК4ГАКАДЖКН-1М и флэш-память НАНД внезапная откалывают микрон ИК ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ Микрон е.ММК запоминающее устрой.......

MT29F2G08ABAEAH4-IT: E NAND внезапное асинхронное SLC 2Gbit 8bit 35mA 256MX8 VFBGA-63 Спецификации Атрибут продукта Атрибут со значением.........

MT29F64G08CBABAWP: Микросхема памяти NAND b IC ПРОБЛЕСКИВАЕТ МАССА 8GX8 ПЛАСТИКОВАЯ PBF TSOP 3.3V - ХРАНЕНИЕ Особенности • Открытый интерфейс NAND вне......

Обломок высококачественной контрольной панели внезапный: 29F2G08ABAEA SLC NAND внезапное параллельное 3.3VПервоначальная и подлинная память 29F2G08A........

Описание продукта: Samsung Electronics K9K8G08U0D-SCB0 представляет собой slc nand flash параллельный 3.3v 8g-bit 1g x 8 25ns 48-pin tsop-i в микро.........

Хранение данных флэш-памяти NAND eMMC eMMC 8GB 3.3V 200Mhz IS21ES08G-JCLI ОСОБЕННОСТИ • Упакованная флэш-память NAND с интерфейсом eMMC 5,0.........

MT29F4G08ABADAH4-AITX - флэш-память 4GB NAND Введение: MT29F4G08ABADAH4-AITX модуль флэш-памяти 4GB NAND конструированный для пользы.........

ВСПЫШКА TC58NVG1S3HTA00 - память IC 2Gbit параллельные 25 Ns 48-TSOP i NAND (SLC) Схема данных: TC58NVG1S3HTA00.pdf ВСПЫШКА - память IC 2Gbi.........

USB CTLR NAND NX2LP 56QFN 3V CY7C68023-56LTXC IC | поверхностный держатель 3.6V Mfr Технологии Infineon...

Электронные блоки ик канала ИК 4 ворот ИК НАНД логики СН74ХКТ00ДР ХКТ00 СОП14 Тип логики Ворота НАНД Количество цепей 4 Количество входных сигналов 2 ......

TC58NYG0S3HBAI6 Тошиба NAND внезапное параллельное 1.8V 67-Pin VFBGA 1G-bit 128M x 8Технические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый.........

ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ IPhone 7 IC NAND памяти AMD ВНЕЗАПНОЕ плюс 218-0792006 144TQFP Обломок предварительное микро- Devices/AMD 218-0792006 IC пам.........