CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD

Electronic Component Warehouse!

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / IC Memory Chip /

Масса пластмассы ПБФ ТСОП 3.3В микросхемы памяти 8ГС8 ИК вспышки МТ29Ф64Г08КБАБАВП Нанд - хранение

контакт
CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsVIVI
контакт

Масса пластмассы ПБФ ТСОП 3.3В микросхемы памяти 8ГС8 ИК вспышки МТ29Ф64Г08КБАБАВП Нанд - хранение

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT29F64G08CBABAWP
Место происхождения :Малайзия
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :Т/Т, западное соединение, ПайПал
Способность поставки :10000пкс
Срок поставки :в запасе 2-3days
Упаковывая детали :1000PCS/Reel
Тип памяти :Слаболетучий
Формат памяти :Вспышка
Технология :ВСПЫШКА - NAND
Размер запоминающего устройства :64Gb (8G x 8)
Напряжение тока - поставка :2,7 V | 3,6 V
Рабочая температура :0°C | 70°C (ЖИВОТИКИ)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

МТ29Ф64Г08КБАБАВП: МАССА ПЛАСТМАССЫ ПБФ ТСОП 3.3В ВСПЫШКИ 8ГС8 НАНД микросхемы памяти б ИК - ХРАНЕНИЕ

 

Особенности

 

• Раскройте интерфейс (ONFI) вспышки НАНД 1,0 комплянт1

• Одноуровневая технология (SLC) клетки

• Организация – размер страницы кс8: 2112 байта (2048 + 64 байт) – размер страницы кс16: 1056 слов слов (1024 + 32) – размер блока: 64 страницы (байты 128К + 4К) – плоский размер: 2 самолета кс 2048 блоков согласно с самолет – размер прибора: 4Гб: 4096 блоков; 8Гб: 8192 блока 16Гб: 16 384 блока

• Асинхронное проведение И/О – тРК/тВК: 20нс (3.3В), 25нс (1.8В)

• Проведение массива – прочитанная страница: 25µс 3 – страница программы: 200µс (ТИП: 1.8В, 3.3В) 3 – блок стирания: 700µс (ТИП)

• Установленная команда: Протокол вспышки ОНФИ НАНД

• Предварительной установленный командой – тайник моде4 страницы программы – прочитанный 2-самолет режима 4 тайника страницы – бывший программабле режим (OTP) – управляет 4 – Интерлеавед умирает деятельность (ЛУН) – прочитанный уникальный ИД – замок блока (1.8В только) – движение внутренних данных

• Байт состояния деятельности обеспечивает метод программного обеспечения для обнаруживать – завершение деятельности – условие пропуска/терпеть неудачу – защитите состояние от записи

• Сигнал готовых/Бусы# (Р/Б#) обеспечивает метод оборудования обнаруживать завершение деятельности

• Сигнал ВП#: Прибор врите-протект весь

 

Атрибуты продукта Выберите все
Категории Интегральные схемаы (ICs)
  Память
Изготовитель Микрон Технология Инк.
Серия -
Состояние части Активный
Тип памяти Слаболетучий
Формат памяти ВСПЫШКА
Технология ВСПЫШКА - НАНД
Размер запоминающего устройства 64Гб (8Г кс 8)
Напишите время цикла - слово, страницу -
Интерфейс памяти Параллель
Напряжение тока - поставка 2,7 В | 3,6 В
Рабочая температура 0°К | 70°К (ЖИВОТИКИ)

 

 

Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-755-82539981

Запрос Корзина 0