китай категории
Русский язык
Главная /

mosfet switching losses

1 - 20 Результаты поиска по запросу mosfet switching losses от 407 продукты

Мулти функциональный переключатель Мосфет переключателя мощности Мосфет/АП8810ТС сильнотоковый Общее описание: Транзистор влияния поля Мос.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Силовая электроника МОП-транзистора IRF530NPBF N-канальные MOSFET-транзисторы высокой мощности Тип поле......

Time : Nov,30,2024
контакт

Add to Cart

– Пульсированный мосфет силы переключения МОСФЭТ ПоверТренч П-канала ФДН304ПЗ определенный 1.8В Особенности · ► – 2,4 а, – 20 В. РДС (ДАЛЬШЕ).........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

– Пульсировал P-канал 1.8V FDN304PZ определил mosfet силы MOSFET PowerTrench переключая Особенности · ►– 2,4 a, – 20 v. RDS (ДАЛЬШЕ) = 52 mW @ V.........

Time : Jan,05,2026
контакт

Add to Cart

FP50R06KE3 600V 50A PIM модуль низкий VCE (sat) низкий сменный убыток интегрированный NTC медный основной пластинка высокая частота переключения для д......

Time : Mar,04,2026
контакт

Add to Cart

MOSFET N-канала HXY9926A 20V двойной Общее описание HXY9926A использует предварительную технологию канавы к предусмотрите превосходный.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Автомобильные модули IGBT FZ1200R12HE4 Низкие потери переключения 1200V 130 мм Модуль IGBT с одним переключателем [МЖДПреимущество] + 15 лет опыта р........

Time : Jul,17,2025
контакт

Add to Cart

Регулятор переключения ИК МОСФЭТ силы Н-канала 2СК3878 К3878 ТО3П Список других электронных блоков в запасе КККА43ДЖБ1Х103МТ010Н ТДК ЛД1117АГ-1.5В-А У......

Time : Nov,03,2023
контакт

Add to Cart

Низкие потери переключения диода сигнала Шотткы емкости незначительные Особенности диода сигнала Шотткы Пластиковый пакет носит лаборатори.........

Time : Mar,28,2026
контакт

Add to Cart

1200 v, 35 модуль sixpack IGBT a EasyPACK™ 1B 1200 v, 35 модуль sixpack IGBT a с TRENCHSTOPTM IGBT4, излучателем контролировало диод 4, NTC и техно.........

Time : Dec,04,2024
контакт

Add to Cart

Водитель JY21L повсюду бортовой, высокое напряжение, высокоскоростной водитель MOSFET силы и IGBT основанные на процессе P-SUB P-EPI. Общее описа.........

Time : Apr,21,2025
контакт

Add to Cart

Инфинеон чип BTS724G IC PWR СВИЧ N-CHAN 1:1 DSO-20 Производитель: Инфинион Категория продукции: Ключи питания - распределение питания RoHS: П.........

Time : Feb,10,2026
контакт

Add to Cart

Обломоки IC электронных блоков B3W-4055 Chipscomponent ПОГРУЖЕНИЕ интегральной схемаы B3W-4055 цифров новое и первоначальное Тактильный пере.........

Time : Mar,26,2026
контакт

Add to Cart

Регулятор 30A 36/48V обязанности SSN небольшой солнечный для батареи лития Функция: Систематическое автоматическ-идентификация напряжения.........

Time : Feb,20,2025
контакт

Add to Cart

Модуль питания IGBT FP25R12U1T4 Модуль SmartPIM с Trench / Fieldstop IGBT4 и управляемым эмиттером 4 диодом Типичные области применения • Вспомога.........

Time : May,06,2025
контакт

Add to Cart

Интегральные схемаы T588N16TOF микроконтроллера IC MCU электронных блоков МОДУЛЯ T588N16TOF Спецификация деталь.........

Time : Nov,24,2024
контакт

Add to Cart

N-канал 600 v MOSFET транзистора силы STO33N60M6 Mosfet, тип 105 mOhm., особенность 26 a • Уменьшенные переключая потери • Более низкий RDS (дальше) в ......

Time : Sep,30,2019
контакт

Add to Cart

Сила вверх ваши приборы с MOSFETs NTMFS5C430NLПотери высокопроизводительного и низко-кондукции для эффективной электроники Вы ищете надежный и эф.........

Time : Mar,24,2026
контакт

Add to Cart

Транзисторы частей MOSFET N-CH 30V 15A SO-FL T/R NTMFS4C029NT1G Trans новые Характер продукции Низкий RDS (дальше) для того чтобы.........

Time : Dec,09,2024
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0