китай категории
Русский язык

Мулти функциональный переключатель Мосфет переключателя мощности Мосфет/АП8810ТС сильнотоковый

Номер модели:АП8810ТС
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:переговоров
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Мулти функциональный переключатель Мосфет переключателя мощности Мосфет/АП8810ТС сильнотоковый

 

Общее описание:

 

Транзистор влияния поля Мос использован в много применения электропитания и общей силы, особенно как переключатели. Вариант с включает плоскостные МОСФЭЦ, ВМОС, УМОС ТренчМОС, ХЭСФЭЦ и другие различные фирменные наименования.

 

Общие особенности

 

ВДС = 20В, ИД = 7А
Оценка РДС (ДАЛЬШЕ < 28m=""> ) РДС (ДАЛЬШЕ < 26m=""> ) РДС (ДАЛЬШЕ < 22m=""> ) РДС (ДАЛЬШЕ < 20m=""> ) ЭСД: 2000В ХБМ

 

Применение

 

Предохранение от батареи
Управление силы переключателя нагрузки

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продуктаПакетОтмечатьКты (ПКС)
АП8810ТСТССОП-8АП8810Э ССС ИИИИ5000

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (℃уньлесс в противном случае знаменитого ТА=25)

 

 

ПараметрСимволПределБлок
Напряжение тока Сток-источникаВДС20В
Напряжение тока Ворот-источникаВГС±12В

 

Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1)

ИД7А
ИДМ25А
Максимальная диссипация силыПД1,5В
Работая диапазон температур соединения и храненияТ Дж, Т СТГ-55 до 150
Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2)РθДжА83℃/В
ПараметрСимволПределБлок
Напряжение тока Сток-источникаВДС20В
Напряжение тока Ворот-источникаВГС±12В

 

Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1)

ИД7А
ИДМ25А
Максимальная диссипация силыПД1,5В
Работая диапазон температур соединения и храненияТ Дж, Т СТГ-55 до 150
Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2)РθДжА83℃/В

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (℃уньлесс в противном случае знаменитые ТА=25)

 

ПараметрСимволУсловиеМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение Сток-источникаБВ ДССВ μА ГС=0В ИД=25020  В
Зеро течение стока напряжения тока воротИДССВ ДС=20В, В ГС=0В  1μА

 

Течение утечки Ворот-тела

 

ИГСС

В ГС=±4.5В, В ДС=0В  ±200нА
В ГС=±10В, ВДС=0В  ±10уА
Напряжение тока порога воротВ ГС (тх)В ДС=В ГС, μА ИД=2500,60,751,2В

 

Сопротивление На-государства Сток-источника

 

РДС (ДАЛЬШЕ)

В ГС=4.5В, ИД=6.5А 1420Ω м
В ГС=4В, ИД=6А 1622Ω м
В ГС=3.1В, ИД=5.5А 1926Ω м
В ГС=2.5В, ИД=5.5А 2428Ω м
Передний ТранскондуктансегФСВ ДС=10В, И Д=6.5А 6,6 С
Входная емкостьКльсс  650 ПФ
Емкость выходаКосс 360 ПФ
Обратная емкость передачиКрсс 154 ПФ
Турн-он время задержкитд (дальше)  1122нС
Турн-он время восхода

р

т

 1228нС
Время задержки поворота-тд () 3573нС
Время падения поворота-

ф

т

 3365нС
Полная обязанность воротКг

 

В ДС=10В, И Д=7А, В ГС=4.5В

 1116нК
Обязанность Ворот-источникаКгс 2,5 нК
Обязанность Ворот-стокаКгд 3,2 нК
Пропускное напряжение диода (примечание 3)В СДВ ГС=0В, ИС=1.5А 0,841,2В
ПараметрСимволУсловиеМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение Сток-источникаБВ ДССВ μА ГС=0В ИД=25020  В
Зеро течение стока напряжения тока воротИДССВ ДС=20В, В ГС=0В  1μА

 

Течение утечки Ворот-тела

 

ИГСС

В ГС=±4.5В, В ДС=0В  ±200нА
В ГС=±10В, ВДС=0В  ±10уА
Напряжение тока порога воротВ ГС (тх)В ДС=В ГС, μА ИД=2500,60,751,2В

 

Сопротивление На-государства Сток-источника

 

РДС (ДАЛЬШЕ)

В ГС=4.5В, ИД=6.5А 1420Ω м
В ГС=4В, ИД=6А 1622Ω м
В ГС=3.1В, ИД=5.5А 1926Ω м
В ГС=2.5В, ИД=5.5А 2428Ω м
Передний ТранскондуктансегФСВ ДС=10В, И Д=6.5А 6,6 С
Входная емкостьКльсс  650 ПФ
Емкость выходаКосс 360 ПФ
Обратная емкость передачиКрсс 154 ПФ
Турн-он время задержкитд (дальше)  1122нС
Турн-он время восхода

р

т

 1228нС
Время задержки поворота-тд () 3573нС
Время падения поворота-

ф

т

 3365нС
Полная обязанность воротКг

 

В ДС=10В, И Д=7А, В ГС=4.5В

 1116нК
Обязанность Ворот-источникаКгс 2,5 нК
Обязанность Ворот-стокаКгд 3,2 нК
Пропускное напряжение диода (примечание 3)В СДВ ГС=0В, ИС=1.5А 0,841,2В

 

ПРИМЕЧАНИЯ:

1. повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

2. поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.

3. Тест ИМПа ульс: Μс ≤ 300 ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к испытанию продукции.

 

Внимание

 

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.

7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.

подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.

China Мулти функциональный переключатель Мосфет переключателя мощности Мосфет/АП8810ТС сильнотоковый supplier

Мулти функциональный переключатель Мосфет переключателя мощности Мосфет/АП8810ТС сильнотоковый

Запрос Корзина 0