CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD
Electronic Component Warehouse!
Add to Cart
Держатель поверхности 417мВ П-канала 60В 300мА транзисторов БСХ201 НПН ПНП (животиков) (животики)
транзистор МОС режима БСХ201 повышения П-канала
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ СИМВОЛА ОСОБЕННОСТЕЙ БЫСТРЫЕ • Напряжение тока низкого порога ВДС = -60 в • Быстрое переключение • ИД логики ровный совместимый = -0,3 а • Субминятуре поверхностное Ω ≤ 2,5 РДС пакета держателя (ДАЛЬШЕ) (ВГС = -10 в)
ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ПРИКАЛЫВАЯ СОТ23
П-канал, режим повышения, уровень логики ОПИСАНИЯ ПИН, транзистор силы пол-влияния. Этот прибор имеет напряжение тока порога ворот низкого уровня 1 и весьма быстрое переключение делая им идеал для 2 применений батареи источника использующих энергию и высокоскоростного цифрового взаимодействовать. сток 3
БСХ201 поставлено в субминятуре пакете поверхностной установки СОТ23.
| Атрибуты продукта | Выберите все |
| Категории | Дискретные продукты полупроводника |
| Транзисторы - ФЭЦ, МОСФЭЦ - определяют | |
| Изготовитель | Некспериа США Инк. |
| Серия | - |
| Упаковка | Лента & вьюрок (TR) |
| Состояние части | Активный |
| Тип ФЭТ | П-канал |
| Технология | МОСФЭТ (металлическая окись) |
| Стеките к напряжению тока источника (Вдсс) | 60В |
| Настоящий - непрерывный сток (ид) @ 25°К | 300мА (животики) |
| Управляйте напряжением тока (Максом Рдс дальше, минутой Рдс дальше) | 4.5В, 10В |
| Рдс на (Макс) @ ид, Вгс | 2,5 ома @ 160мА, 10В |
| Ид Вгс (тх) (Макса) @ | 1В @ 1мА (минута) |
| Отстробируйте обязанность (Кг) (Макс) @ Вгс | 3нК @ 10В |
| Вгс (Макс) | ±20В |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Вдс | 70пФ @ 48В |
| Особенность ФЭТ | - |
| Диссипация силы (Макс) | 417мВ (животики) |
| Рабочая температура | -55°К | 150°К (ТДЖ) |
| Тип установки | Поверхностный держатель |
| Пакет прибора поставщика | ТО-236АБ |
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-0755-82539981